用以减少相变存储器的读取错误的读取偏置管理制造技术

本文中所揭示的标的物涉及一种存储器装置，且更明确地说涉及相变存储器的读取性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用以减少相变存储器的读取错误的读取偏置管理
本文中所揭示的标的物涉及一种存储器装置，且更明确地说涉及相变存储器的读取性能。
技术介绍
相变存储器(PCM)可至少部分地基于一或多种特定相变材料(例如硫属化合物合金及/或碲化锗锑(GST)，仅举几个实例)的行为及性质操作。此类材料的结晶及非晶状态可具有不同的电阻率，因此呈现可借以存储信息的基础。此类材料的非晶、高电阻状态可表示所存储第一二进制状态，且此类材料的结晶、低电阻状态可表示所存储第二二进制状态。当然，所存储信息的此二进制表示仅为实例：PCM还可用于存储(举例来说)由不同程度的相变材料电阻率表示的多个存储器状态。PCM单元可通过将偏置信号施加到所述存储器单元而从非晶状态转变为结晶状态。偏置信号的特性(例如(举例来说)，峰值量值及/或脉冲宽度)可经选择以允许到结晶状态的转变。读取PCM单元的状态可通过将偏置电流或电压施加到所述PCM单元以检测所述单元的电阻率来执行。随时间，PCM单元的各种参数可因改变PCM温度、相变材料的重新结晶、漂移及/或循环(仅举几个实例)而漂移或改变。此些效应可导致PCM单元的读取错误。附图说明将参考以下各图描本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：施加偏置条件以读取存储器装置的内容；将所述存储器装置的所述所读取内容中的读取错误计数；及响应于所述错误计数超过阈值数目而修改所述偏置条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.15 US 13/327,6731.一种操作存储器装置的方法，其包括：施加偏置条件以读取存储器装置的相变存储器PCM单元的内容；通过使用错误校正码ECC引擎而确定表示所述存储器装置的所述所读取内容的经编码数据；至少部分地基于所述经编码数据的在第一逻辑状态中的位的数目与所述经编码数据的在第二逻辑状态中的位的数目的比较而确定是否修改所述偏置条件；响应于逻辑“0”位数目超过逻辑“1”位数目而增加所述偏置条件；响应于所述逻辑“1”位数目超过所述逻辑“0”位数目而减小所述偏置条件；依序步进通过所述偏置条件的多个值；及至少部分地基于所述存储器装置的所述所读取内容中的读取错误的计数是否包括小于或等于阈值数目的数目而确定是否继续所述依序步进。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括响应于ECC溢出事件而修改所述偏置条件。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏置条件包括读取偏置电压。4.一种操作存储器装置的方法，其包括：施加偏置条件以读取存储器装置的相变存储器PCM单元的内容；通过使用错误校正码ECC引擎而确定表示所述存储器装置的所述所读取内容的经编码数据；至少部分地基于所述经编码数据的在第一逻辑状态中的位的数目与所述经编码数据的在第二逻辑状态中的位的数目的比较而确定是否修改所述偏置条件；响应于所述存储器装置的所述所读取内容中的读取错误的计数超过阈值数目而修改所述偏置条件，其中修改所述偏置条件包括：响应于逻辑“0”位数目超过逻辑“1”位数目而增加所述偏置条件；响应于所述逻辑“1”位数目超过所述逻辑“0”位数目而减小所述偏置条件；在修改所述偏置条件之后，使用经修改偏置条件读取所述存储器装置的所述内容；将由所述读取所述存储器装置的内容导致的读取错误计数；及响应于所述读取错误的所述数目超过所述阈值数目而进一步修改所述偏置条件。5.一种存储设备，其包括：控制器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：费迪南多·贝代斯基，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US