相变存储器与开关（PCMS）存储器设备中的漂移管理制造技术

本公开涉及用于存储器设备的漂移管理。在至少一个实施例中，本公开的存储器设备可包括相变存储器与开关（下文称为“PCMS”）存储器单元以及能够实施控制漂移的漂移管理的存储器控制器。还描述并主张其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相变存储器与开关(PCMS)存储器设备中的漂移管理
本公开的主题一般涉及相变存储器与开关(PCMS)存储器，尤其涉及管理PCMS存储器设备中的漂移的方法和装置。
技术介绍
相变存储器(PCM)设备使用相变材料作为电子存储器，所述相变材料是可在大致非晶质和大致晶质状态之间电切换的材料。用于存储器应用的典型的PCM材料包括多组分硫属化物，诸如Ge2Sb2Te5 (GST)，多组分硫属化物在电场中经受可逆且快速的非晶质到晶质的相变。显著不同的非晶质和晶质状态电阻用作两种存储器状态，“O”(复位)和“I”(置位)。相变材料的状态也是非易失性的。因此，当存储器被置于表示电阻值的状态时，即使电力被切断，该值也被保留直至重新编程。通过将PCM存储元件和双向阈值开关(OTS)分层堆积，能够由存储器单元构成可扩展的且可堆叠的非易失性PCMS设备。这些垂直集成的存储器单元能够嵌入到在CMOS电路的顶部上堆叠的交叉点阵列中，用于解码、传感和逻辑功能。已知PCM材料显示出用于对PCM信息进行记录和读取的可测量设备参数(诸如阈值电压和电阻)的自发变化或漂移。因此，漂移管理是PCMS存储器设备的一项考虑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漂移管理方法，包括：对将第一存储器状态写入存储器设备的第一存储器块中的第一存储器位的时间进行存储，所述存储器设备具有两个或更多个存储器块；在自所述第一存储器状态被写入起的时间流逝之后将第二存储器状态写入所述第一存储器块中的存储器位之前，将所述时间流逝与预设时间进行比较；以及如果所述时间流逝等于或大于所述预设时间，则将所述第二存储器状态写入不同于所述第一存储器块的存储器块中的存储器位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.22 US 13/166,2141.一种漂移管理方法，包括: 对将第一存储器状态写入存储器设备的第一存储器块中的第一存储器位的时间进行存储，所述存储器设备具有两个或更多个存储器块； 在自所述第一存储器状态被写入起的时间流逝之后将第二存储器状态写入所述第一存储器块中的存储器位之前，将所述时间流逝与预设时间进行比较；以及 如果所述时间流逝等于或大于所述预设时间，则将所述第二存储器状态写入不同于所述第一存储器块的存储器块中的存储器位。2.如权利要求1所述的方法，还包括:如果所述时间流逝小于所述预设时间，则将所述第二存储器状态写入所述第一存储器块中的存储器位。3.如权利要求2所述的方法，还包括:在将所述第二存储器状态写入存储器位之前，将所述第二存储器状态存储到缓冲区中。4.如权利要求1所述的方法，还包括:如果所述时间流逝等于或大于所述预设时间，则将所述第一存储器位中的所述第一存储器状态转移到不同于所述第一存储器块的存储器块中的存储器位。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一存储器状态是置位状态，并且所述第二存储器状态是复位状 态。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一存储器状态是复位状态，并且所述第二存储器状态是置位状态。7.如权利要求1所述的方法，其中对将第一存储器状态写入存储器设备的第一存储器位的时间进行存储包括:对将置位或复位状态写入相变存储器与开关(PCMS)存储器设备的第一存储器位的时间进行存储。8.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器设备包括非易失性存储器。9.一种存储器设备,包括: 相变存储器与开关(PCMS)存储器单元；以及 存储器控制器，其能够实现控制所述PCMS存储器单元的漂移的漂移管理。10.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述PCMS存储器单元包括:硫属化物材料、双向材料或其组合。11.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述存储器设备包括非易失性存储器。12.如权利要求9所述的存储器设备，其中，为控制所述PCMS存储器单元的漂移，所述存储器控制器被配置成: 对将第一存储器状态写入所述存储器设备的第一存储器块中的第一存储器位的时间进行存...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·V·卡尔波夫，G·斯帕迪尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：