【技术实现步骤摘要】
—种用于晶体生长的保温装置
本技术涉及晶体生长保温装置领域。技术背景对于高品质的晶体而言，其生长环境尤为重要，而生长环境中对温度的把握更是重中之重，但是目前市场上使用的晶体生长保温装置在高温情况下非常容易破裂，从而产生裂缝，影响了炉膛内的温场，造成在炉膛内生长的晶体的质量降低。晶体的品质受到影响，产品效益自然而然也会受到影响。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供的一种用于晶体生长的保温装置，包括炉膛、第一保温壁、第二保温壁、第三保温壁，其中炉膛位于整个保温装置的最内圈，晶体生长的保温装置从里到外依次是炉膛、第一保温壁、第二保温壁、第三保温壁。上述第一保温壁被切成两半形成两个相同的半保温壁，第二保温壁分为六段，第三保温壁被切成两半形成两个相同的半保温壁，第一保温壁被切成两半的作用在于使整个保温装置内的温度稳定，有利于形成优质的晶体，第三保温壁被切成两半的作用在于方便安装。本技术提供的一种用于晶体生长的保温装置，不仅结构简单，在实际的应用过程中可以广泛推广，而且能很好的保证晶体生长环境中温度的稳定，从而可形成优质的晶体。是一种低成本，高收益的晶体生长保温装置。【附图说明】图1为本技术的俯视图；图1中I为第三保温壁，2为第二保温壁，3为第一保温壁，4为炉膛，11、12为第三保温壁的两个半相同的保温壁，31、32为第一保温壁的两个半相同的保温壁。【具体实施方式】如图1所示，本技术提供的一种用于晶体生长的保温装置，包括炉膛4、第一保温壁3、第二保温壁2、第三保温壁1，其中炉膛4位于整个保温装置的最内圈，晶体生长的保温装置从里到外依次是炉膛4、第一保温壁3、第...
【技术保护点】
一种用于晶体生长的保温装置，包括炉膛、第一保温壁、第二保温壁、第三保温壁，其中炉膛位于整个保温装置的最内圈，晶体生长的保温装置从里到外依次是炉膛、第一保温壁、第二保温壁、第三保温壁，其特征在于：所述第一保温壁被切成两半形成两个半相同的半保温壁。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶体生长的保温装置，包括炉膛、第一保温壁、第二保温壁、第三保温壁，其中炉膛位于整个保温装置的最内圈，晶体生长的保温装置从里到外依次是炉膛、第一保温壁、第二保温壁、第...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆文胜，陈基平，姜利飞，
申请(专利权)人：福建科彤光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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