掩膜板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种掩膜板及其制造方法，属于显示技术领域。其中，所述掩膜板，包括：金属基材，所述金属基材上设置有至少一个第一镂空区域；有机覆盖层，所述有机覆盖层上设置有至少一个第二镂空区域，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内；所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材。本发明专利技术的技术方案能够利用激光切割机台制造出高精度掩膜板，并且制造出的高精度掩膜板具有较好的开口精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种。
技术介绍
与传统的IXD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)显示方式相比，OLED(Organic Electroluminescence Display,有机发光二极管)技术无需背光灯，其具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此OLED显示屏能够显著节省电能，可以做得更轻更薄，比IXD显示屏耐受更宽范围的温度变化，而且可视角度更大。其中，OLED屏体的发光层一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精度金属掩膜板(fine metal mask，FMM)在阵列基板上相应的像素位置形成有机发光元器件。随着OLED 技术的发展,尤其是 AMOLED (Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，有源矩阵有机发光二极体)技术的出现，OLED产品尺寸及玻璃基板尺寸都在不断增加，也要求高精度金属掩膜板的尺寸不断增大。现有的高精度金属掩模板一般是通过光刻工艺来制造，需要用到涂胶机台、高精度曝光机台、化学刻蚀机台等设备，最好的开口精度可以做到±3um。随着越来越大的AMOLED生产线投入使用，用于制造高精度金属掩膜板的相关机台严重滞后，需要对相关机台进行对应的研发和制造，但是研发和制造的价格高昂，投入较大；而且采用光刻工艺生产高精度金属掩膜板需要先制作光罩，如果高精度金属掩膜板布局改变，光罩就不 能再使用，综上所述，采用光刻工艺制造高精度金属掩模板的制造周期长,生产成本高。为了减少生产成本，缩短制造周期，可以采用激光切割机台来加工高精度金属掩膜板，激光切割机台本身加工精度很高，最好的可以达到±2-3um，该技术是通过激光热切割金属材质的薄片来形成高精度金属掩膜板，但是因为采用激光热切割时产生热量，很容易造成热形变，导致金属堆积的应力不能释放，在将金属薄片拉伸到掩膜板框架上时，金属薄片受到拉力很容易翘曲和褶皱，使高精度金属掩膜板的平整度和直线度受到不良影响，因此采用激光切割机台加工的高精度金属掩膜板实际的开口精度往往大于50um，甚至更差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，能够利用激光切割机台制造出高精度金属掩膜板，并且制造出的高精度金属掩膜板具有较好的开口精度。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下:—方面，提供一种掩膜板，包括:金属基材，所述金属基材上设置有至少一个第一镂空区域；有机覆盖层，所述有机覆盖层上设置有至少一个第二镂空区域，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内；所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材。进一步地，所述金属基材为采用殷钢或不锈钢。进一步地，所述有机覆盖层为采用能够承受300度以上高温的光刻胶或平坦化胶。进一步地，所述有机覆盖层的厚度为10-200um。进一步地，所述有机覆盖层的平坦度不大于50um。本专利技术实施例还提供了一种掩膜板的制造方法，包括:将待加工的金属基材放置到切割机台上，并拉伸所述金属基材；对所述金属基材进行第一次切割，形成第一镂空区域；在形成有第一镂空区域的金属基材上形成一有机覆盖层，所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材；对所述有机覆盖层进行第二次切割，形成第二镂空区域，其中，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内。进一步地 ，所述拉伸所述金属基材之后，所述金属基材的平坦度不大于50um。进一步地，所述在形成有第一镂空区域的金属基材上形成一有机覆盖层之前还包括:去除掉所述金属基材上附着的杂质颗粒。进一步地，所述在形成有第一镂空区域的金属基材上形成一有机覆盖层包括:在形成有第一镂空区域的金属基材上涂布一层有机胶材，并对有机胶材进行固化形成所述有机覆盖层。进一步地，所述对所述有机覆盖层进行第二次激光切割之前还包括:对形成有所述有机覆盖层的金属基材进行拉伸。本专利技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中，先对金属基材进行第一次切割，形成第一镂空区域，再在金属基材上形成一有机覆盖层，对有机覆盖层进行第二次切割，形成第二镂空区域，之后在蒸镀发光层时就可以利用覆盖在金属基材上的有机覆盖层作为掩膜。由于第二次切割是在切割有机覆盖层，因此下面的金属基材不会发生热形变，所以加工精度是由切割机台本身决定的，最好可以达到±2-3um，随着加工精度的提高，拉伸金属基材所需拉力就可以降低，金属基材受力发生翘曲和褶皱的可能也会降低，因此可以有效提高掩膜板的开口精度，相比采用光刻工艺制造高精度金属掩膜板，本专利技术的技术方案能够缩短制造周期，减少生产成本，并且只需要对现有设备进行简单改造就可以达成，可行性很高。【附图说明】图1为本专利技术实施例掩膜板的制造方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例掩膜板的俯视示意图；图3为图2所示掩膜板沿AA’方向的截面示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中采用激光加工的高精度金属掩膜板的开口精度较差的问题，提供一种，能够利用激光切割机台制造出高精度掩膜板，并且制造出的高精度掩膜板具有较好的开口精度。本专利技术实施例提供了一种掩膜板，包括:金属基材，所述金属基材上设置有至少一个第一镂空区域；有机覆盖层，所述有机覆盖层上设置有至少一个第二镂空区域，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内；所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材。本专利技术的掩膜板中，实际上是将金属基材上的有机覆盖层的第二镂空区域作为掩膜图案，由于有机覆盖层在被切割时不会发生热形变，因此有机覆盖层的加工精度是由切割机台本身决定的，最好可以达到±2-3um，随着加工精度的提高，拉伸金属基材所需拉力就可以降低，金属基材受力发生翘曲和褶皱的可能也会降低，因此可以有效提高掩膜板的开口精度。优选地，所述金属基材为采用殷钢或不锈钢。进一步地，所述有机胶材可以为能够承受300度以上高温的光刻胶或平坦化胶，优选地，所述有机覆盖层的厚度为10-200um。 进一步地，为了保证掩膜板的开口精度，所述有机覆盖层的平坦度不大于50um。其中，有机覆盖层的平坦度即在有机覆盖层的截面方向上、最高点与最低点之间的垂直距离。图1为本专利技术实施例掩膜板的制造方法的流程示意图，如图1所示，本实施例包括:步骤a:将待加工的金属基材放置到切割机台上，并拉伸所述金属基材；步骤b:对所述金属基材进行第一次切割，形成第一镂空区域；步骤c:在形成有第一镂空区域的金属基材上形成一有机覆盖层，所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材；步骤d:对所述有机覆盖层进行第二次切割，形成第二镂空区域，其中，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内。本方案中的切割工艺可以采用激光切割，也可以采用其他切割方式实现，以下均以激光切割为例进行说明。本实施例在制造掩膜板时，先对金属基材进行第一次激光切割，形成第一镂空区域，再在金属基材上形成一有机覆盖层，对有机覆盖层进行第二次激光切割，形成第二镂空区域，之后在蒸镀发光层时就可以利用覆盖在金属基材上的有机覆盖层作为掩膜。由于第二次切割是激光在切割有机覆盖层，因此下面的金属基材不会发生热形变，所以加工精度是由激光切本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，其特征在于，包括：金属基材，所述金属基材上设置有至少一个第一镂空区域；有机覆盖层，所述有机覆盖层上设置有至少一个第二镂空区域，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内；所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板,其特征在于,包括: 金属基材，所述金属基材上设置有至少一个第一镂空区域； 有机覆盖层，所述有机覆盖层上设置有至少一个第二镂空区域，所述第二镂空区域的投影位于所述第一镂空区域内； 所述有机覆盖层部分或全部覆盖所述金属基材。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述金属基材为采用殷钢或不锈钢。3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述有机覆盖层为采用能够承受300度以上高温的光刻胶或平坦化胶。4.根据权利要求1所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述有机覆盖层的厚度为10_200um。5.根据权利要求1所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述有机覆盖层的平坦度不大于50um。6.—种掩膜板的制造方法,其特征在于,包括: 将待加工的金属基材放置到切割机台上，并拉伸所述金属基材； 对所述金属基材进行第一次切割，形成第一镂空区域； 在形成有第一镂空区域的金属基...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘晟恺，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34