一种高性能晶体硅电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高性能晶体硅电池的制备方法，该制备方法是将常规晶体硅电池的正电极由n条单一宽度的正电极变更为n′条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极，每条正电极均起始于窄正电极并终止于窄正电极，其中起始端以及终止端窄正电极的宽度为0.08~0.3mm，中间窄正电极的宽度为起始端或终止端窄正电极的1/2，宽正电极的宽度W′为0.5~2.0mm，常规晶体硅电池的单一宽度的正电极的宽度W为1.5~4.0mm，所述n≤n′≤2W/W′。本发明专利技术能减少正电极金属所占面积，降低对金属银的消耗量，并且解决了目前市场上晶体硅电池的串联电阻大，转化效率低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种高性能晶体硅太阳能电池的制备方法。
技术介绍
随着国际光伏市场形式的变化，光伏行业的竞争越来越激烈，高性能晶体硅电池越来越受大家关注，成为企业赖以生存的关键。目前现有的晶体硅电池普遍还在采用连续正电极设计，如图1所示，正电极数量以2-3条作为主流，其中6'和6.5'以2条为主，8'以3条为主，根据晶体硅电池正电极的特点以及高性能晶体硅电池的要求，主栅设计方面还存在很大的优化空间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高性能晶体硅太阳能电池的制备方法，该制备方法能减少正电极金属所占面积，降低对金属银的消耗量，并且可解决目前市场上晶体硅电池的串联电阻大，转化效率低的技术问题。本专利技术的上述目的是通过如下技术方案来实现的:一种高性能晶体硅太阳能电池的制备方法，是将常规晶体硅电池的正电极由η条单一宽度的正电极变更为V条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极，每条正电极均起始于窄正电极并终止于窄正电极，其中起始端以及 终止端窄正电极的宽度为0.08、.3mm，中间窄正电极的宽度为起始端或终止端窄正电极的1/2，宽正电极的宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能晶体硅电池的制备方法，其特征是：将常规晶体硅电池的正电极由n条单一宽度的正电极变更为n′条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极，每条正电极均起始于窄正电极并终止于窄正电极，其中起始端以及终止端窄正电极的宽度为0.08~0.3mm，中间窄正电极的宽度为起始端或终止端窄正电极的1/2，宽正电极的宽度W′为0.5~2.0mm，常规晶体硅电池的单一宽度的正电极的宽度W为1.5~4.0mm，所述n≤n′≤2W/ W′。

【技术特征摘要】
1.一种高性能晶体硅电池的制备方法，其特征是:将常规晶体硅电池的正电极由η条单一宽度的正电极变更为V条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极，每条正电极均起始于窄正电极并终止于窄正电极，其中起始端以及终止端窄正电极的宽度为0.08、.3mm，中间窄正电极的宽度为起始端或终止端窄正电极的1/2，宽正电极的宽度W'为0.5~2.0mm，常规晶体硅电池的单一宽度的正电极的宽度W为I.5~4.0mm，所述η ≤ n'≤ 2ff/ r。2.根据权利要求1所述的高性能晶体硅电池的制备方法，其特征是:所述n'条由窄正电极和宽正电极交替连接组成的正电极以晶体硅片的中心轴线为中心线相对称分布。3.根据权利要求2所述的高性能晶体硅电池的制备方法，其特征是:在晶体硅片上还设有多条与所述n'条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极相垂直设置的细栅线。4.根据权利要求3所述的高性能晶体硅电池的制备方法，其特征是:所述多条与所述n'条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极相垂直设置的细栅线间距相同，位于靠近晶体硅片边缘处的细栅线距离电池边...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘苗，杨伟强，严金梅，李吉，赵鹏松，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13