一种氮化钽纳米管阵列电极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化钽纳米管阵列电极及其制备方法，其组成包括金属钽（Ta）片基底上的氮化钽（Ta3N5）纳米管阵列；制备方法由一次阳极氧化，二次阳极氧化，氮化焙烧处理三步构成。本发明专利技术有效抑制了电子-空穴对的复合，提高了材料的光解水效率；显著改善了纳米管阵列与基底的连接状况，提高了光电化学池光解水制氢活性。本发明专利技术的制备方法操作过程简单，可控性强，光电催化性能稳定，重复性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化钽纳米管阵列电极，包括基底上的氮化钽纳米管阵列，其特征在于，所述基底为金属钽片；所述氮化钽纳米管阵列中纳米管的内径为20‑90nm，长度为100‑900nm，壁厚为10‑45nm；所述氮化钽纳米管阵列与所述基底紧密连接，两者连接处的模拟电阻值为7.4‑25.8Ω。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：巩金龙，张鹏，王拓，张冀杰，常晓侠，李盎，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12