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本发明公开了一种氮化钽纳米管阵列电极及其制备方法，其组成包括金属钽（Ta）片基底上的氮化钽（Ta3N5）纳米管阵列；制备方法由一次阳极氧化，二次阳极氧化，氮化焙烧处理三步构成。本发明有效抑制了电子-空穴对的复合，提高了材料的光解水效率；显著...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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