掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料及制备方法。所述复合导电材料，由包覆层掺锑的二氧化锡的摩尔含量与二氧化钛的摩尔百分含量比为：（0.3~0.9）：1组成。其制备方法过程包括：将二氧化钛加入到去离子水中配制成摩尔浓度为10~20%悬浮液1，将结晶四氯化锡和三氯化锑加入到盐酸溶液中配成溶液2，将氢氧化钠加入到去离子水中配制成溶液3，将三种溶液混合，陈化反应后经离心、洗涤、干燥、煅烧得到复合导电材料。本发明专利技术具有如下优点：共沉淀法制备的复合导电材料，合成工艺简单，制备的粉体成分均匀、纯度较高、化学计量比可控制，制备出的导电粉体材料纯度高，颜色浅，粒径小，分散性好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种。所述复合导电材料，由包覆层掺锑的二氧化锡的摩尔含量与二氧化钛的摩尔百分含量比为：（0.3~0.9）：1组成。其制备方法过程包括：将二氧化钛加入到去离子水中配制成摩尔浓度为10~20%悬浮液1，将结晶四氯化锡和三氯化锑加入到盐酸溶液中配成溶液2，将氢氧化钠加入到去离子水中配制成溶液3，将三种溶液混合，陈化反应后经离心、洗涤、干燥、煅烧得到复合导电材料。本专利技术具有如下优点：共沉淀法制备的复合导电材料，合成工艺简单，制备的粉体成分均匀、纯度较高、化学计量比可控制，制备出的导电粉体材料纯度高，颜色浅，粒径小，分散性好。【专利说明】
本专利技术涉及一种，属于复合导电材料
。
技术介绍
铺惨杂二氧化锡(antimony doped tin oxide,简称ΑΤΟ)是一种η型半导体材料，其粉体具有优良的导电能力，且其疏松密度比金属粉体小，在基体材料中稳定分散而不易聚集沉降，不会出现因金属粉体的氧化而导致导电能力下降的现象，在制备涂料、导电材料、红外吸收材料和抗静电材料等方面具有广泛的应用前景，是一种极具发展潜力的多功能材料。目前，经高温烧结后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料，其特征在于，该复合导电材料包覆层为掺锑的氧化锡，其中，锑的摩尔百分含量为：1~9%；氧化锡的摩尔百分含量为：1~99%；包覆层内为二氧化钛，其中，包覆层掺锑的二氧化锡的摩尔含量与二氧化钛的摩尔百分含量比为：（0.3~0.9）：1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑冀，王英，蒋菲，张萌，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12