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本发明公开了一种掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料及制备方法。所述复合导电材料，由包覆层掺锑的二氧化锡的摩尔含量与二氧化钛的摩尔百分含量比为：（0.3~0.9）：1组成。其制备方法过程包括：将二氧化钛加入到去离子水中配制成摩尔浓度为10~...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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