微转移图案化加工方法技术

一种微转移图案化加工方法，其特征在于１）．在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章表面蒸镀一层金属；２）．在平面基底上旋涂热塑性高分子溶液；３）．依次测定高分子材料的玻璃化转变温度，将表面具有金属薄膜的聚二甲基硅氧烷软印章和热塑性高分子薄膜表面吻合，将整个体系加热到所选高分子材料的玻璃化转变温度后，再升高温度１０～８０℃，并保持５～１０分钟，然后，在整个体系降低温度到所选高分子玻璃化温度后，再降低温度２０～５０℃，将聚二甲基硅氧烷软印章剥离，得到表面具有金属薄膜图形的高分子薄膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于。
技术介绍
随着有机电子工业的发展，人们要求一种可以在不损伤有机薄膜性能的条件下，在有机薄膜表面加工金属薄膜图案的方法。传统的微电子加工中，对硅薄膜晶体管的半导体层图案化普遍采用光刻的方法，但是该方法不适用于有机薄膜表面的图案化加工，特别是对有机半导体薄膜表面的加工，因为光刻工艺中所采用的各种溶剂和溶液会对有机薄膜性能产生致命的破坏。1993年Whitesides在AppliedPhysics Letter上发表了关于采用软印章进行微接触打印的方法对电极图案化，但是该方法只适用于特定的可以组装的体系，并且加工工艺本身也会对基底有机薄膜产生损伤。2000年Kim C.等在Science上发表的cold-welding的方法和Stutzmann N.等在Nature上发表的microcutting的方法均已应用于有机薄膜表面金属薄膜图案化加工中，但是这些方法的加工工艺复杂，要求压力高，同时由于加工中硬质材料的使用而不容易实现大面积条件下的加工。1996年Bao Z.等在Applied Physics Letter和1998年Sirringhaus H.等在Science本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩艳春，王哲，邢汝博，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：