用于处理气流的设备制造技术

本发明专利技术提供用于处理气流（22）的设备。等离子体消除装置（10）具有反应腔室（14）和等离子体焰炬（12），等离子体焰炬（12）用于生成等离子体流以喷射到腔室内用于处理气流。第一入口（18）输送气流到等离子体消除装置内以进行处理；并且第二入口（20）在设备的正常条件下与试剂源流动连通用来将试剂（24）输送到等离子体装置内来改进处理的效率。在设备的备份条件下，第二入口与气流源流动连通以将气流输送到装置内进行处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供用于处理气流（22）的设备。等离子体消除装置（10）具有反应腔室（14）和等离子体焰炬（12），等离子体焰炬（12）用于生成等离子体流以喷射到腔室内用于处理气流。第一入口（18）输送气流到等离子体消除装置内以进行处理；并且第二入口（20）在设备的正常条件下与试剂源流动连通用来将试剂（24）输送到等离子体装置内来改进处理的效率。在设备的备份条件下，第二入口与气流源流动连通以将气流输送到装置内进行处理。【专利说明】用于处理气流的设备
本专利技术涉及用于处理气流的设备。本专利技术特别适用于处理从过程腔室排出的气流，过程腔室例如用于半导体、太阳能或平板显示器行业中。
技术介绍
在半导体装置制造中的一个步骤是通过蒸气前体的化学反应在半导体基板上形成薄膜。用来在基板上淀积薄膜的一种已知的技术是化学气相淀积(CVD)，其通常被等离子体增强。在这种技术中，过程气体被供应到过程腔室，过程腔室容纳基板，在过程腔室中，过程气体起反应以在基板表面上形成薄膜。供应到过程腔室以形成薄膜的气体示例包括(但不限于):用来形成氮化硅膜的硅烷和氨；用来形成SiON膜的硅烷、氨和一氧化二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理来自过程装置的过程废气流的设备，包括：等离子体消除装置，其具有反应腔室和等离子体焰炬，所述等离子体焰炬用于生成等离子体流以喷射到所述腔室内用于处理过程废气流；第一入口，其用于输送所述过程废气流进入所述等离子体消除装置以进行处理；以及，第二入口，其在所述设备的正常条件下与试剂源成流动连通用来将试剂输送到所述等离子体装置用来改进所述处理的效率并且其在所述设备的备份条件下与过程废气流源成流动连通用来将过程废气流输送到所述装置内进行处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：SA沃罗宁，JL伯德，AA钱伯斯，
申请(专利权)人：爱德华兹有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB