【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种使用成本低的自旋阀磁电阻传感器材料结构，包括：硅衬底层，设置在硅衬底层上的稀土材料(SmCo5)层，设置在稀土材料(SmCo5)层上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层。优点是：用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料，充分利用了丰富的稀土资源，使用成本较低，同时保持较好的磁电阻效应，在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变。【专利说明】自旋阀磁电阻传感器材料结构
本专利技术涉及一种磁电子传感器领域，尤其涉及一种自旋阀磁电阻传感器材料结构。
技术介绍
巨磁电阻材料在传感器材料、物联网技术、磁记录
有巨大的潜在价值，是国际上最前沿的研究课题之一。早期人们主要利用铁磁(FM)/反铁磁(AFM)双层膜系统，其中反铁磁主要用钉扎作用，正是这一物理现象才使得磁电子学器件应运而生。事实上，人们也可以利用具有高矫顽力的材料来替代反铁磁材料，其中稀土永磁尤其理想，相比于其它的高矫顽力材料，稀土薄膜制备工艺比较简单，尤为重要的是，稀土资源丰富，因此，利用稀土永磁薄膜对于稀土的开发利用意义重大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种使用成本低的自旋阀磁电阻传感器材料结构。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是:自旋阀磁电阻传感器材料结构，包括:硅衬底层，设置在硅衬底层上的稀土材料(SmCo5)层，设置在稀土材料(SmCo5)层上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层。为了更好地解决上述技术问题，本专利技术采用的进一步技术方案是:所述硅衬底层和稀土材料(SmCo5)层之间设置有Cr缓冲层。为了更好地解决上述技术问题，本...
【技术保护点】
自旋阀磁电阻传感器材料结构，其特征在于：包括：硅衬底层(1)，设置在硅衬底层(1)上的稀土材料(SmCo5)层(2)，设置在稀土材料(SmCo5)层(2)上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层(3)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周仕明，刘兹伟，顾云飞，
申请(专利权)人：盐城彤晖磁电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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