工艺反应腔及工艺设备制造技术

本发明专利技术公开了一种工艺反应腔及工艺设备。该工艺反应腔包括：腔体、承载装置、进气装置和感应线圈，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述感应线圈用于产生磁场，所述承载装置设置于所述腔体的内部且与所述腔体同轴设置，所述承载装置和所述腔体之间形成气体通道，所述承载装置的外周面上放置有衬底，所述衬底位于所述气体通道中，所述进气装置用于向所述气体通道内通入工艺气体。本发明专利技术的技术方案穿过所述承载装置的磁力线的密度均匀分布，使得感应线圈对承载装置的加热温度均匀，从而提高了工艺的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种工艺反应腔及工艺设备。该工艺反应腔包括：腔体、承载装置、进气装置和感应线圈，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述感应线圈用于产生磁场，所述承载装置设置于所述腔体的内部且与所述腔体同轴设置，所述承载装置和所述腔体之间形成气体通道，所述承载装置的外周面上放置有衬底，所述衬底位于所述气体通道中，所述进气装置用于向所述气体通道内通入工艺气体。本专利技术的技术方案穿过所述承载装置的磁力线的密度均匀分布，使得感应线圈对承载装置的加热温度均匀，从而提高了工艺的均匀性。【专利说明】工艺反应腔及工艺设备
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种工艺反应腔及工艺设备。
技术介绍
金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organicChemical VaporDeposition,以下简称:M0CVD)技术是在1968年由美国洛克威尔公司的Manasevit等人提出来的用于制备化合物半导体薄片单晶的一项新技术。MOCVD技术是在气相外延生长(Vapor PhaseEpitaxy，以下简称:VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD技术多用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工艺反应腔，包括：腔体、承载装置、进气装置和感应线圈，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述感应线圈用于产生磁场，其特征在于，所述承载装置设置于所述腔体的内部且与所述腔体同轴设置，所述承载装置和所述腔体之间形成气体通道，所述承载装置的外周面上放置有衬底，所述衬底位于所述气体通道中，所述进气装置用于向所述气体通道内通入工艺气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董志清，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11