TFT基板的防静电方法技术

本发明专利技术涉及一种TFT基板的防静电方法，包括提供TFT基板及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w的步骤。该方法与传统的直流磁控溅射相比，所采用电压和功率较小，能耗小，且制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，使得TFT基板防静电效果较好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种TFT基板的防静电方法，包括提供TFT基板及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w的步骤。该方法与传统的直流磁控溅射相比，所采用电压和功率较小，能耗小，且制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，使得TFT基板防静电效果较好。【专利说明】TFT基板的防静电方法
本专利技术涉及镀膜
，特别是涉及TFT基板的防静电方法。
技术介绍
目前，对TFT (Thin-Film Transistor)基板进行防静电的方法大多采用直流溅射镀膜或蒸发镀膜的方法在TFT基板制备ITO薄膜(氧化铟锡薄膜)。然而，传统的直流溅射镀膜及蒸发镀膜所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较差，要求的电源电压及功率高，其电压一般为350V~380V，功率在IlOOw~1300w，能耗较大。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能耗较小、能够提高膜层厚度均匀性的TFT基板的防静电方法。一种TFT基板的防静电方法，包括如下步骤:提供TFT基板；及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V~300V，功率为700w~1000w。在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述中频磁控溅射的真空度为2.5 X KT1Pa~3.50 X KT1Pat5在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的温度为90°C~120°C。在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的运行速度为20mm/s~35mm/s。在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板与派射祀材的距离为IOmm~30mm。在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述ITO薄膜的厚度为100A~250A。在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，采用氧气作为反应气体，采用氩气作为工艺气体，所述氧气和氩气的总气压为0.3Pa。上述TFT基板的 防静电方法采用中频磁控溅射的方法在TFT基板上制备ITO薄膜，所采用的电压和功率较低，能耗较小，并且该方法所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，使得TFT基板的防静电效果较好。【专利附图】【附图说明】图1为一实施方式的TFT基板的防静电方法的流程图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参阅图1，一实施方式的TFT基板的防静电方法，包括如下步骤SllO~步骤S120。步骤SllO:提供TFT基板。TFT基板为已减薄的TFT基板。在进行镀膜之前，使用WG清洗机对已减薄的TFT基板进行清洗，以除去TFT基板的表面脏污及灰尘，清洗干净后依次经冷风、热风干燥，检验表面质量，合格，备用。步骤S120:采用中频磁控溅射在TFT基板上制备ITO薄膜，其中，中频磁控溅射的电压为250V~300V，功率为700w~1000w。采用中频磁控溅射制备ITO薄膜，所使用的电压为250V~300V，功率为700w~1000w,电压和功率均低于传统的直流磁控溅射镀膜和蒸发镀膜，能耗低，较为节能环保，有利于降低制备成本。并且，经测试表明，所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，有利于提高TFT基板的防静电效果。由于中频磁控溅射工艺控制要求较为严格，所以传统一般都不采用中频磁控溅射制备ITO薄膜。优选地，中频磁控溅射的真空度为2.5X KT1Pa~3.50X KT1Pat5 TFT基板的运行速度为20mm/s~35mm/s,更优选为30mm/s。镀膜过程中，TFT基板的温度为90°C~120°C，更优选为100°C。优选地，将TFT基板从室温加热至90°C~120°C所用的时间为650s~800s，更优选为720s。在650s~800s内升温至90°C~120 V，在保证生产效率的同时，有利于降低破片率，提高良率。采用ITO祀材作为派射祀材。优选地,TFT基板与派射祀材的距离为IOmm~30mm,更优选为20mm。米用氧气作为反应气体，米用IS气作为工艺气体。优选地，氧气和IS气的总气压为0.3Pa。采用中频磁控溅射工艺，并合理设置电压、功率、真空度、TFT基板温度、升温时间、TFT基板与靶材的距离、TFT基板的运行速度及氧气和氩气的总气压，制备得到致密性好、可见光透过率、高硬度、厚度均匀性较好的纳米级ITO薄膜，使得TFT基板具有较好的防静电性能，且能满足可见光透过率的要求。优选地，ITO薄膜的厚度为IOOA~250A。上述TFT基板的防静电方法采用中频磁控溅射的方法在TFT基板上制备ITO薄膜，所采用的电压和功率较低，能耗较小，并且该方法所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好。以下通过具体实施例进一步阐述。实施例11、提供TFT基板，将TFT基板进行清洗干净后依次经冷风、热风干燥，备用；2、采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，中频磁控溅射的电压为250V，功率为700w，真空度为3.50 X 10?, TFT基板的温度为100°C，从室温将TFT基板加热至100°C所用的时间为720s，TFT基板的运行时间为30mm/s，TFT基板与ITO靶材的距尚为20mm,氧气和気气的总气压为0.3Pa。经测试，所制备的ITO薄膜的厚度为200A、可见光透过率为97.0%、硬度为6H，合格。测定多点的膜后，计算厚度均匀性，ITO薄膜的厚度均匀性在5%以内，说明ITO薄膜的厚度均匀性较好。厚度均匀性的计算是测定多个点的厚度，然后取平均值，再将各个点的值与平均值进行比较，经计算，各个点与平均值的差值在5%以内。实施例21、提供TFT基板，将TFT基板进行清洗干净后依次经冷风、热风干燥，备用；2、采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，中频磁控溅射的电压为300V，功率为lOOOw，真空度为2.50 X KT1Pa, TFT基板的温度为90°C，从室温将TFT基板加热至90°C所用的时间为650s，TFT基板的运行时间为20mm/s，TFT基板与ITO靶材的距尚为IOmm,氧气和気气的总气压为0.3Pa。经测试，所制备的ITO薄膜的厚度为250A、可见光透过率为95.0%、硬度为6H，合格。测定多点的膜后，计算厚度均匀性，ITO薄膜的厚度均匀性在4%以内，说明ITO薄膜的厚度均匀性较好。实施例31、提供TFT基板，将TFT基板进行清洗干净后依次经冷风、热风干燥，备用；2、采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，中频磁控溅射的电压为280V，功率为850w，真空度为3.00 X KT1Pa, TFT基板的温度为120°C，从室温将T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的防静电方法，其特征在于，包括如下步骤：提供TFT基板；及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张迅，王海涛，李金鑫，易伟华，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36