一种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法，其步骤如下：将偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)水浴溶解于丁酮溶剂，静置凝胶后得到P(VDF-TrFE)的丁酮溶液；将硝酸银粉末溶解于有机溶剂，超声振荡后静置得到硝酸银溶液；移取定量体积P(VDF-TrFE)的丁酮溶液与硝酸银溶液混合，超声振荡后静置得到AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液；在加热的衬底上将AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液旋涂成膜，置于氮气保护的高温烘箱中退火得到Ag掺杂的P(VDF-TrFE)复合薄膜。本发明专利技术制备工艺简单，成本较低，所得薄膜中银颗粒直径约15～30nm，且分布均匀，含银复合薄膜较之纯P(VDF-TrFE)薄膜具有矫顽场低、相对介电常数高、剩余极化强度高等优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开，其步骤如下：将偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)水浴溶解于丁酮溶剂，静置凝胶后得到P(VDF-TrFE)的丁酮溶液；将硝酸银粉末溶解于有机溶剂，超声振荡后静置得到硝酸银溶液；移取定量体积P(VDF-TrFE)的丁酮溶液与硝酸银溶液混合，超声振荡后静置得到AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液；在加热的衬底上将AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液旋涂成膜，置于氮气保护的高温烘箱中退火得到Ag掺杂的P(VDF-TrFE)复合薄膜。本专利技术制备工艺简单，成本较低，所得薄膜中银颗粒直径约15～30nm，且分布均匀，含银复合薄膜较之纯P(VDF-TrFE)薄膜具有矫顽场低、相对介电常数高、剩余极化强度高等优点。【专利说明】—种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种复合薄膜的制备方法，具体涉及，它应用于非制冷红外辐射探测器、非挥发性铁电随机存储器等
。
技术介绍
偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)经过多年发展，已被证实是一种性能优良的铁电聚合物材料，P(VDF-TrFE)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种银纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)复合薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将P(VDF‑TrFE)恒温水浴溶解于丁酮溶剂，P(VDF‑TrFE)与丁酮的质量比为1～5:100，水浴温度为50～60℃，搅拌时间为2～4小时，冷却后将溶液置于遮光环境中静置一天，完成凝胶过程，得到P(VDF‑TrFE)的丁酮溶液；2)将硝酸银粉末常温溶解于有机溶剂，硝酸银与溶剂的质量比为1:10～20，超声振荡后置于遮光环境中静置得到硝酸银溶液；3)经过计算，用移液管移取定量体积P(VDF‑TrFE)的丁酮混合溶液与硝酸银溶液混合，常温超声振荡后静置于遮光环境中，得到质量分数浓度为0～10%的AgNO...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹宇宏，韩莉，王建禄，孙璟兰，孙硕，沈宏，孟祥建，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31