带正电单层型电子照相感光体以及图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种带正电单层型电子照相感光体以及图像形成装置。本发明专利技术的带正电单层型电子照相感光体包括：空穴输送材料，包括由下述式（1）表示的三芳胺衍生物；以及电子输送材料，包括选自由特定结构的醌化合物构成的组中的化合物。根据本发明专利技术，能够供给一种无图像存储的带正电单层型电子照相感光体。另外，本发明专利技术的图像形成装置由于提供这种带正电单层型电子照相感光体作为图像承载体，因此能够提供良好的图像。

【技术实现步骤摘要】
带正电单层型电子照相感光体以及图像形成装置
本专利技术涉及带正电单层型电子照相感光体以及具备带正电单层型电子照相感光体的图像形成装置。
技术介绍
作为电子照相方式的图像形成装置所具备的电子照相感光体，有具备由硒、非晶硅等无机材料构成的感光层的无机感光体；以及具备主要由粘结剂树脂、电荷发生材料、电荷输送材料等有机材料构成的感光层的有机感光体。而且，在这些感光体之中，由于与无机感光体相比制备容易，能够从广泛的材料中选择感光层的材料，设计的自由度高，因此有机感光体被广泛使用。作为这样的有机感光体，可以举出具备在同一层包括电荷发生材料和电荷输送材料的感光层的单层型有机感光体。众所周知单层型有机感光体与在导电性基体上层压了含有电荷发生材料的电荷发生层与含有电荷输送材料的电荷输送层的层压型有机感光体相比，结构简单且制备容易，并且能够抑制皮膜缺陷的发生。使用这样的电子照相感光体，实施包括以下的工序1～5的图像形成工艺。工序1：使电子照相感光体的表面带电工序2：使带电的电子照相感光体表面曝光，从而形成静电潜像工序3：在施加有显影偏压的状态下使静电潜像进行调色剂显影工序4：通过反转显影方式将形成的调色剂图像转印到被转印体工序5：使转印到被转印体的调色剂图像进行加热定影但是，在这样的图像形成工艺中，由于旋转使用电子照相感光体，因此会出现在前一周中曝光的部分的电位（明电位）残留而即使经过下一周中的带电工序也会在所述部分中无法得到期望的带电电位（暗电位）的现象（转印存储（転写メモリー））。而且，存在转印存储的发生部分与未发生的部分的图像浓度改变，难以得到良好的图像的问题。另外，单层型电子照相感光体有带正电型和带负电型，作为电子照相感光体的带电方式有接触带电方式和非接触带电方式。当使电子照相感光体的表面带电时，几乎不发生对电子照相感光体的寿命和办公环境造成不良影响的臭氧等氧化性气体的方面出发，优选使用带正电型的单层型电子照相感光体，更优选组合使用接触带电方式的带电部与带正电单层型电子照相感光体。但是，组合使用接触带电方式的带电部与带正电单层型电子照相感光体时，存在特别易于发生转印存储的问题。根据如以上所示的情况，期望一种能够抑制图像形成时的转印存储的发生的带正电型的单层型电子照相感光体。为了抑制转印存储的发生，有效的是使用电荷输送能力优异的电荷输送材料。作为电荷输送能力优异的电荷输送材料，提出了各种三芳胺衍生物作为空穴输送材料。而且，优选作为空穴输送材料的三芳胺衍生物的具体例可以举出下述化合物（HTM-A和HTM-B）。但是，即使使用专利文献1中记载的三芳胺衍生物（HTM-A和HTM-B），通过与构成感光层的粘结剂树脂或电子输送材料的组合有时也会难以得到良好的感光度特性。因此，仍然期望一种抑制转印存储的发生、能够形成良好的图像的带正电单层型电子照相感光体。专利文献：日本专利公开2005-289877公报
技术实现思路
有鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种通过抑制转印存储从而能够抑制图像不良的发生的带正电单层型电子照相感光体。本专利技术人发现通过使带正电单层型电子照相感光体的感光层中含有包括特定结构的三芳胺衍生物的空穴输送材料、以及包括选自由特定的醌化合物构成的组中的化合物的电子输送材料，从而解决了上述课题，以至完成了本专利技术。更具体而言，本专利技术提供以下的感光体以及图像形成装置。本专利技术的一个方案所涉及的电子照相感光体，在导电性基体上形成有至少包括电荷发生材料、空穴输送材料、电子输送材料和粘结剂树脂的单层结构的感光层，所述空穴输送材料包括由下述式（1）表示的三芳胺衍生物，[式（1）中，Ar1为芳基或具有共轭双键的杂环基，Ar2为芳基，Ar1和Ar2被选自由碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基和苯氧基构成的组中的一个以上的基团取代或不取代。]所述电子输送材料包括选自由下述式（2）～（4）表示的化合物构成的组中的一种以上的化合物，[式（2）～（4）中，R1～R10分别独立地为选自由氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烯基、具有或不具有取代基的烷氧基、具有或不具有取代基的芳烷基、具有或不具有取代基的芳烃基和具有或不具有取代基的杂环基构成的组中的基团，R11为选自由卤素原子、氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烯基、具有或不具有取代基的烷氧基、具有或不具有取代基的芳烷基、具有或不具有取代基的芳烃基和具有或不具有取代基的杂环基构成的组中的基团。]另外，本专利技术的另一方案所涉及的图像形成装置，其特征在于，具备：图像承载体；带电部，用于使所述图像承载体的表面带电；曝光部，用于使带电的所述图像承载体的表面曝光，从而在所述图像承载体的表面上形成静电潜像；显影部，用于将所述静电潜像显影为调色剂图像；以及转印部，用于将所述调色剂图像从所述图像承载体转印到被转印体，所述图像承载体为第一方案所涉及的带正电单层型电子照相感光体。发现根据该结构，能够得到安装有无图像存储的带正电单层型电子照相感光体的高图像质量的图像形成装置。由以下说明的实施方式，本专利技术的其他目的、通过本专利技术得到的具体的优点会变得更加明确。附图说明图1是表示单层型感光体的结构的图。图2是表示本专利技术的图像形成装置的一例的示意结构图。图3是表示三芳胺衍生物（HTM-1）的1H-NMR（300MHz）谱的图。图4是表示三芳胺衍生物（HTM-4）的1H-NMR（300MHz）谱的图。图5是表示三芳胺衍生物（HTM-5）的1H-NMR（300MHz）谱的图。图6是表示三芳胺衍生物（HTM-8）的1H-NMR（300MHz）谱的图。图7是表示三芳胺衍生物（HTM-10）的1H-NMR（300MHz）谱的图。具体实施方式下面，对本专利技术的实施方式进行详细说明，但本专利技术并不限定于以下的实施方式。[第一实施方式]本专利技术的第一实施方式的带正电单层型电子照相感光体涉及一种在导电性基体上形成有至少包括电荷发生材料、空穴输送材料、电子输送材料和粘结剂树脂的单层结构的感光层的带正电单层型电子照相感光体（以下有时称为“单层型感光体”或“感光体”）。空穴输送材料包括由前述式（1）表示的三芳胺衍生物。电子输送材料包括选自由前述式（2）～（4）表示的化合物构成的组中的一种以上的化合物。如图1所示，第一实施方式所涉及的带正电单层型电子照相感光体10具备导电性基体12、以及形成在导电性基体12上的、含有电荷发生材料、空穴输送材料、电子输送材料和粘结剂树脂的单层的感光层14。而且，带正电单层型电子照相感光体10只要具备导电性基体12与感光层14，则并不特别限定。具体而言，例如图1的（a）所示，在导电性基体12上可以直接具备感光层14，也可以如图1的（b）所示的带正电单层型电子照相感光体10这样，在导电性基体12与感光层14之间具备中间层16。另外，如图1的（a）和图1的（b）所示，感光层14可以作为最外层露出，也可以如图1的（c）所示的带正电单层型电子照相感光体10这样，在感光层14上具备保护层18。下面，依次对导电性基体和感光层进行说明。[导电性基体]导电性基体只要能够用作带正电单层型电子照相感光体的导电性基体，则并不特别限定。具体而言，例如可以举出由具有导电性的材料至少构成表面部的导电性基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带正电单层型电子照相感光体，其特征在于，在导电性基体上形成有至少包括电荷发生材料、空穴输送材料、电子输送材料和粘结剂树脂的单层结构的感光层，所述空穴输送材料包括由下述式（1）表示的三芳胺衍生物，式（1）中，Ar1为芳基或具有共轭双键的杂环基，Ar2为芳基，Ar1和Ar2被选自由碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基和苯氧基构成的组中的一个以上的基团取代或不取代，所述电子输送材料包括选自由下述式（2）～（4）表示的化合物构成的组中的一种以上的化合物，式（2）～（4）中，R1～R10分别独立地为选自由氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烯基、具有或不具有取代基的烷氧基、具有或不具有取代基的芳烷基、具有或不具有取代基的芳烃基和具有或不具有取代基的杂环基构成的组中的基团，R11为选自由卤素原子、氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烯基、具有或不具有取代基的烷氧基、具有或不具有取代基的芳烷基、具有或不具有取代基的芳烃基和具有或不具有取代基的杂环基构成的组中的基团。

【技术特征摘要】
2012.11.30 JP 2012-2636991.一种带正电单层型电子照相感光体，其特征在于，在导电性基体上形成有至少包括电荷发生材料、空穴输送材料、电子输送材料和粘结剂树脂的单层结构的感光层，所述空穴输送材料包括由下述HTM-1～HTM-10表示的三芳胺衍生物，所述电子输送材料包括选自由下述式(2)～(4)表示的化合物构成的组中的一种以上的化合物，式(2)～(4)中，R1～R10分别独立地为选自由氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烯基、具有或不具有取代基的烷氧基、具有或不具有取代基的芳烷基、具有或不具有取代基的芳烃基和具有或不具有取代基的杂环基构成的组中的基团，R11为选自由卤素原子、氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烯基、具有或不具有取代基的烷氧基、具有或不具有取代基的芳烷基、具有或不具有取代基的芳烃基和具有或不具有取代基的杂环基构成的组中的基团。2.根据权利要求1所述的带正电单层型电子照相感光体，其中，所述电子输送材料的漂移迁移率在电场强度3.0×105V/cm的条件下为4.5×10-7cm2/V·sec以上。3.根据权利要求2所述的带正电单层型电子照相感光体，其中，所述电子输送材料的相对于Ag/Ag+的还原电位为－1.05V以上且－0.85V以下。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水智文，宫本荣一，鹤见裕树，
申请(专利权)人：京瓷办公信息系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP