一种单I/O端口驱动双继电器电路制造技术

技术编号:10112138 阅读:131 留言:0更新日期:2014-06-02 13:49
本实用新型专利技术涉及一种单I/O端口驱动双继电器电路,是采用单片机的单个I/O端口驱动双继电器,包括一个控制输入端、两个继电器输出端、以及第一驱动电路和第二驱动电路;所述第一驱动电路的输入端与第二驱动电路的输入端均接控制输入端,第一、二驱动电路的输出端分别接两个继电器的输出端。本实用新型专利技术采用单个I/O端口驱动两个继电器电路,以一个I/O端口达到驱动两路继电器的效果,降低产品成本。由于采用了新的电路设计,没有其它的单个I/O端口驱动两个继电器电路存在三极管P/N结导通电压受温度变化的影响,导致在高温或低温时出现的继电器控制不可靠和有误动作的现象。元件数量少,电路实现简单可靠。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单I/O端口驱动双继电器电路,是采用单片机的单个I/O端口驱动双继电器,其特征在于,包括一个控制输入端、两个继电器输出端、以及第一驱动电路和第二驱动电路;所述第一驱动电路的输入端与第二驱动电路的输入端均接控制输入端,第一、二驱动电路的输出端分别接两个继电器的输出端;所述第一驱动电路包括电阻R1~R4、三极管Q1、三极管Q3、稳压二极管ZD1和继电器REL1;电阻R3的一端接控制输入端,另一端接稳压二极管ZD1的阳极;稳压二极管ZD1的阴极通过电阻R1接电源VDD,稳压二极管ZD1的阴极还接三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极接电源VDD,三极管Q1的集电极通过电阻R4接三极管Q3的基极,三极管Q1的集电极还通过电阻R4接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接GND;三极管Q3的发射极接GND,三极管Q3的集电极接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极接电源VCC,继电器REL1与二极管D1并联连接;所述第二驱动电路包括电阻R3、电阻R5~R7、三极管Q2、三极管Q4、稳压二极管ZD2、二极管D2和继电器REL2;电阻R3的一端接控制输入端,另一端接稳压二极管ZD2的阴极,稳压二极管ZD2的阳极通过电阻R7接GND,稳压二极管ZD2的阳极还接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接GND,三极管Q2的集电极通过电阻R5接三极管Q4的基极,三极管Q4的基极通过电阻R6接电源VCC,三极管的发射极接电源VCC,三极管Q4的集电极接二极管D2的阴极,二极管D2的阳极接GND,继电器REL2与二极管D2并联连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐守越何志明
申请(专利权)人:广东瑞德智能科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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