【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种反应腔室，包括腔室、位于所述腔室内部的静电卡盘、内衬以及基座，所述基座用于支撑所述静电卡盘，所述内衬上设置有多个通风孔，所述基座包括支撑部分、连接部分以及安装部分，其中：所述支撑部分位于所述静电卡盘正下方并支撑所述静电卡盘；所述连接部分的一侧与所述支撑部分相连接，且所述连接部分在所述内衬上的正投影是从腔室壁指向腔室中心的方向上宽度逐渐减小；所述安装部分与所述连接部分的另一侧相连接，所述安装部分用于将所述基座固定在所述腔室的侧壁上。通过连接部分的非等宽的设计，改善了对上方内衬的遮挡，使得基座上方的内衬上的通风孔在径向上的对称性得到了提高，从而增加基座上方气流分布的径向均匀性，提高了工艺均匀性。【专利说明】一种反应腔室
本专利技术涉及半导体设备制造
，特别涉及一种用于等离子刻蚀设备中的反应腔室。
技术介绍
现代集成电路的发展对芯片的集成度不断提出更高的要求，包括在单一芯片上集成更多的半导体元器件，从而使得芯片具有更高的电路密度。为了获得更高的电路密度，需要减小半导体元器件的关键尺寸。随着关键尺寸的减少，使得半导体元器件的制造更为困难，为了提高成品率，对硅片上工艺均匀性提出了更高的要求。在等离子刻蚀工艺中，气流是影响工艺均匀性的一个重要因素。图1示出了一种采用下抽气方式的等离子体刻蚀机的反应腔室的结构简图，如图1所示，该等离子体刻蚀机包括腔室101、进气口 102、静电卡盘103、硅片104、铝基座105、内衬106以及出气口 107。其中，工艺气体从进气口 102进入腔室101中，并被激发为等离子体，等离子体被内...
【技术保护点】
一种反应腔室，包括腔室、位于所述腔室内部的静电卡盘、内衬以及基座，所述基座用于支撑所述静电卡盘，所述内衬上设置有多个通风孔，其特征在于，所述基座包括支撑部分、连接部分以及安装部分，其中：所述支撑部分位于所述静电卡盘正下方并支撑所述静电卡盘；所述连接部分的一侧与所述支撑部分相连接，且所述连接部分在所述内衬上的正投影的宽度是从腔室壁指向腔室中心的方向上逐渐减小；所述安装部分与所述连接部分的另一侧相连接，所述安装部分用于将所述基座固定在所述腔室的侧壁上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：廖凤英，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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