一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法技术

本发明专利技术公开了一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法。在LiYF4晶体中掺入Tm3+稀土离子与引入Gd化学组份，生成化学式为LiY(1-α-3)GdαTmβF4的单晶体。该氟化物单晶体具有生长温度低，Dy3+在该晶体中分布均匀，且溶解度大，具有好的热学、机械与化学稳定性。掺杂于该单晶的稀土离子发光效率高；本发明专利技术制备方法采用绝水、绝氧的密封坩埚下降法技术，并对原料进行高温氟化处理，得到几乎不含氢氧根离子与氧化物的高质量晶体。Dy3+掺杂LiYGdF4单晶体在～388nm紫外光激发下，Dy3+吸收该波长的光，Dy3+发出的蓝光(480nm)与黄色光(573nm)相混合发射白光。其色坐标接近x≈0.310，y≈0.320。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法。在LiYF4晶体中掺入Tm3+稀土离子与引入Gd化学组份，生成化学式为LiY(1-α-3)GdαTmβF4的单晶体。该氟化物单晶体具有生长温度低，Dy3+在该晶体中分布均匀，且溶解度大，具有好的热学、机械与化学稳定性。掺杂于该单晶的稀土离子发光效率高；本专利技术制备方法采用绝水、绝氧的密封坩埚下降法技术，并对原料进行高温氟化处理，得到几乎不含氢氧根离子与氧化物的高质量晶体。Dy3+掺杂LiYGdF4单晶体在～388nm紫外光激发下，Dy3+吸收该波长的光，Dy3+发出的蓝光(480nm)与黄色光(573nm)相混合发射白光。其色坐标接近x≈0.310，y≈0.320。【专利说明】—种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法
本专利技术涉及白光LED，具体涉及一种用于白光LED的Dy3+掺杂LiYGdF4单晶体及其生长方法。
技术介绍
由于LED (Light-emitting diode)节能、环保、长寿命、低压安全、小型化以及不易损耗等特性，成为第四代新照明光源，实现正真的节能与绿色照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法，其特征在于该Dy3+掺杂氟化钇钆锂单晶体的化学式为LiY(1?α?3)GdαDyβF4，其中0.03≤α≤0.10，0.004≤β≤0.04。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏海平，董艳明，符立，李珊珊，唐磊，汪沛渊，彭江涛，张约品，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：