一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法技术

本发明专利技术属于化学液相沉积领域，具体涉及一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明专利技术克服现有技术存在的溶液析出时溶剂的污染和反应副产物难以去除的问题。本发明专利技术提供了一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物黄色氧化汞（HgO）和氢碘酸（HI）为基本原料，通过调整加入到体系HI的浓度，控制HgO和HI的反应速率，从而生成细小的碘化汞颗粒。生成的碘化汞颗粒在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于化学液相沉积领域，具体涉及。本专利技术克服现有技术存在的溶液析出时溶剂的污染和反应副产物难以去除的问题。本专利技术提供了：利用化合物黄色氧化汞（HgO）和氢碘酸（HI）为基本原料，通过调整加入到体系HI的浓度，控制HgO和HI的反应速率，从而生成细小的碘化汞颗粒。生成的碘化汞颗粒在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。【专利说明】—种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法
本专利技术属于化学液相沉积领域，具体涉及。
技术介绍
碘化汞(HgI2)是一种直接跃迁宽带隙的Π — VII族化合物半导体，是一种优异的室温核辐射半导体材料。原子序数高(Hg=80，I=53)、禁带宽度大(300K，2.13eV)，体暗电阻率高(/?>1013 Ω.cm)、电离效率高(52% )，因而它的光电线性吸收系数大，探测效率高，能量分辨率好，对低能X、Y射线有很高的探测效率和很好的能量分辨率。可广泛用于军事，核工业，环境保护、医疗卫生、无损检测等领域而不受地点、时间等条件的限制，所以HgI2晶体是目前制备室温半导体探测器的极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法，依次包括下述步骤：a、基片的准备：裁割ITO或TFT玻璃制成基片，按照常规处理方法得到洁净光滑的基片；b、反应溶液的制备：在超净条件下，首先将HI酸（优级纯）加入水电阻率为18MΩ的高纯去离子水中进行稀释，稀释至HI在水中的浓度为20%~30%，并将稀释过的HI酸置于带有搅拌功能的恒温制备装置中进行搅拌；然后称取高纯（4N）黄色氧化汞（HgO）粉末，将HgO粉末按照[Hg2+]：[I?]=1：(2~8)的摩尔浓度比缓慢的加入恒温制备装置中；最后在制备装置中加入高纯度去离子水，使HgO在溶液中浓度范围为20~50g/L，形成反应溶液体系，溶液配好后继续搅拌0....

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许岗，谷智，南瑞华，李高宏，陈卫星，王素敏，王奇观，冯启蒙，郭炎飞，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：