基于高压DMOS实现的电平转换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于高压DMOS实现的电平转换电路，主要由低压电路（10）和高压电路（20）组成，其特征在于，所述低压电路（10）由高压DMOS（11），与高压DMOS（11）的栅极相连接的脉冲发生电路（12），以及一端与高压DMOS（11）的源极相连接、另一端接地的温度互补电路（13）组成；所述高压DMOS（11）的漏极则与高压电路（20）相连接。本实用新型专利技术通过温度互补电路能有效的对高压DMOS进行温度补偿，不仅其整体电路结构非常简单，而且其性能非常稳定。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于高压DMOS实现的电平转换电路，主要由低压电路（10）和高压电路（20）组成，其特征在于，所述低压电路（10）由高压DMOS（11），与高压DMOS（11）的栅极相连接的脉冲发生电路（12），以及一端与高压DMOS（11）的源极相连接、另一端接地的温度互补电路（13）组成；所述高压DMOS（11）的漏极则与高压电路（20）相连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢正开，
申请(专利权)人：峰岹科技深圳有限公司，
类型：实用新型
国别省市：