【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储
,尤其涉及一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统。
技术介绍
闪存(Flash Memory,闪速存储器,简称闪存)是诞生于20世纪80年代末的一种新型存储介质。由于具有非易失、高速、高抗震、低功耗、小巧轻便等优良特性,闪存近年来被广泛应用于移动通信、数据采集等领域的嵌入式系统和便携式设备上,如手机、便携式媒体播放器、数码相机、数码摄像机、传感器,也用于航空航天等领域,如航空航天器等。NANDFlash是一种可在线进行电擦写的非易失半导体闪存,具有擦写速度快、低功耗、大容量、低成本等优点,应用非常广泛。近年来,随着音乐播放器、移动电话和存储卡等市场的蓬勃发展,NAND Flash的出货量节节攀升,半导体厂商通过缩小工艺尺寸和采用多值技术(MLC/TLC),将NAND Flash的容量从几百Mbit提升到几个Gbit,但同时使得阈值电压的容限(即编程态的最小电压和擦除态的最大电压之间的范围)减小并且导致芯片的可靠性降低,因此,在现有工艺下,精确地调整NAND Flash的阈值电压就显得尤为重要。以单值型的NAND Flash为例,传统的单值型NAND Flash读取机制如上图1所示,其原理为:在编程态和擦除态的阈值电压之间(即编程态的最小电压和擦除态的最大电压之间)选择一个适当的读取电压,进行一次读取,大于此读取电压的存储单元(cell)统一确定为编程态,小于此读取 ...
【技术保护点】
一种高可靠性NAND?Flash的读取方法,其特征在于,在所述NAND?Flash的外围电路中存储N个读取电压,所述N个读取电压按大小排列形成N+1个电压区间,在所述NAND?Flash的外围电路中分别存储各电压区间的统计次数,所述N为大于1的奇数;当所述NAND?Flash接到读取命令时,读取NAND?Flash页的操作包括:分别用所述N个读取电压读取该NAND?Flash页中各存储单元的存储状态,获取N份读取结果,其中所述存储状态为擦除态或编程态;依据所述N份读取结果,依次确定各存储单元的存储状态和所处的电压区间,当某存储单元位于某电压区间时,将该电压区间的统计次数加一,以及,依据所述各存储单元的存储状态确定该NAND?Flash页的读取结果;对所述N+1个电压区间的统计次数进行分析,当满足预设调整条件时,对所述N个读取电压或所述N+1个电压区间的统计次数进行调整。
【技术特征摘要】
1.一种高可靠性NAND Flash的读取方法,其特征在于,在所述NAND Flash
的外围电路中存储N个读取电压,所述N个读取电压按大小排列形成N+1个电
压区间,在所述NAND Flash的外围电路中分别存储各电压区间的统计次数,所
述N为大于1的奇数;
当所述NAND Flash接到读取命令时,读取NAND Flash页的操作包括:
分别用所述N个读取电压读取该NAND Flash页中各存储单元的存储状态,
获取N份读取结果,其中所述存储状态为擦除态或编程态;
依据所述N份读取结果,依次确定各存储单元的存储状态和所处的电压区
间,当某存储单元位于某电压区间时,将该电压区间的统计次数加一,以及,
依据所述各存储单元的存储状态确定该NAND Flash页的读取结果;
对所述N+1个电压区间的统计次数进行分析,当满足预设调整条件时,对
所述N个读取电压或所述N+1个电压区间的统计次数进行调整。
2.如权利要求1所述的高可靠性NAND Flash的读取方法,其特征在于,
若该Nand Flash为ECC闪存,则所述依据所述各存储单元的存储状态确定该
NAND Flash页的读取结果之后还包括对该NAND Flash页的读取结果进行ECC
校验。
3.如权利要求1或2所述的高可靠性NAND Flash的读取方法,其特征在
于,所述依据所述N份读取结果,依次确定各存储单元的存储状态具体包括:
在所述N份读取结果中,依次对各存储单元的存储状态进行统计,当某存储单
元中编程态次数大于擦除态次数时,将该存储单元内容确定为擦除态,否则将
该存储单元内容确定为编程态。
4.如权利要求3所述的高可靠性NAND Flash的读取方法,其特征在于,
所述依次确定各存储单元所处的电压区间具体包括:从所述N份读取结果中,
\t依次获取各存储单元的存储状态,当某存储单元在N份读取结果中的状态均为
编程态时,将该存储单元所处的电压区间确定为大于最大读取电压的区间,当
某存储单元在N份读取结果中的状态均为擦除态时,将该存储单元所处的电压
区间确定为小于最小读取电压的区间,当某存储单元在某大小相邻的两读取电
压的读取结果中的存储状态不同,将该存储单元所处的电压区间确定为该相邻
两电压形成的区间。
5.如权利要求3所述的高可靠性NAND Flash的读取方法,其特征在于,
所述N为3。
6.一种高可靠性NAND Flash的读取系统,其特征在于,在所述NAND...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱一明,苏志强,丁冲,张君宇,
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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