密封体及密封体的制造方法技术

技术编号:10073655 阅读:145 留言:0更新日期:2014-05-23 21:01
所公开的发明专利技术的一个方式的目的之一是提供一种密封体,该密封体是使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体。一种密封体,其中在相对的两个衬底之间至少设置有布线层,该两个衬底由作为材料包含玻璃粉的密封层密封,并且在布线层与密封层重叠的区域中选择性地形成金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的反射膜以抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。

【技术实现步骤摘要】

本说明书等所公开的专利技术涉及一种密封体及密封体的制造方法。尤其是,涉及一种其内部包括半导体元件的密封体(半导体装置)。注意,本说明书等中的半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置,因此电光装置,图像显示装置,半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
作为将元件封入到相对的一对衬底之间的方法之一,已知以低熔点玻璃的粉末玻璃(也称为玻璃粉)为密封材料进行粘合而形成具有高密封性的密封体的技术。由于这种玻璃粉具有高阻挡性,所以可以分离被密封的内部与外部的气氛。使用玻璃粉的密封方法例如应用于包括有机EL(Electroluminescence)元件、有机半导体元件、有机太阳能电池、液晶元件等半导体元件的装置。作为使用玻璃粉的密封,一般利用如下方法:沿着玻璃衬底的边缘涂敷包含由低熔点玻璃形成的玻璃粉和粘合剂的密封构件,焙烧该密封构件而减少或去除粘合剂,然后重叠该玻璃衬底与对置衬底并对密封构件照射激光,以熔融包含在密封构件中的玻璃粉而形成密封层,通过焊接玻璃衬底和对置衬底,形成具有高气密性的密封体。由于当在密封构件与布线层(电极)重叠的区域中照射激光时布线层吸収或反射激光,所以当焊接时需要的激光的能量与其它区域(密封构件不与布线层重叠的区域)不同。因为布线层反射激光,所以当过剩的能量照射到重叠的区域的密封构件时該区域的密封构件与衬底的密封性下降。另外,因为布线层吸收激光,所以有时布线层发生变形或断开。专利文献1公开了通过当照射激光时在对置衬底上的重叠于电极的区域中配置反射性掩模,来降低照射到该区域的激光能量的密封方法。[专利文献1]日本专利申请公开2011-529624号公报但是,如专利文献1所记载的密封方法那样,当将反射性掩模设置在对置衬底的外侧时,当对由金属膜形成的反射性掩模直接照射激光时,有时因为金属膜的剥落导致半导体装置的表面及/或激光学系统遭受污染。再者,在金属膜的变形导致反射性掩模的劣化时,有可能发生成品率的下降。
技术实现思路
鉴于上述课题,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体及其制造方法。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造使用低熔点玻璃密封的密封体的方法。注意,根据本专利技术的一个方式至少解决上述课题中的一个。所公开的专利技术的一个方式的目的之一是提供一种密封体,该密封体在相对的两个衬底之间至少设置有布线层,该两个衬底由在其材料中包含玻璃粉的密封层密封,在布线层与密封层重叠的区域中选择性地包括金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的半透过膜而抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。通过采用该结构,即使对形成为闭环状的密封构件照射一定能量的激光而不复杂地调整激光的照射,也可以高精度且大致均匀地使该密封构件所包含的玻璃粉熔融而形成密封层。另外,由于金属层设置在相对的两个衬底的内侧,所以可以防止激光的照射导致的消融或变形。具体而言,例如可以采用如下结构。本专利技术的一个方式是一种密封体,包括:设置有布线层的第一衬底;与第一衬底相对且在与第一衬底相对的表面上设置有金属层的第二衬底;以及以重叠于布线层的区域的一部分的方式形成为闭环状,夹着一定的空隙粘合第一衬底与第二衬底的密封层,其中,布线层从闭环状密封层的内侧延伸到外侧,并且,金属层选择性地设置在布线层与密封层重叠的区域中。另外,本专利技术的一个方式是一种密封体,包括:设置有布线层的第一衬底;与第一衬底相对且在与第一衬底相对的表面上设置有金属层的第二衬底;以及以重叠于布线层的区域的一部分的方式形成为闭环状,夹着一定的空隙粘合第一衬底与第二衬底的密封层,其中,布线层从闭环状密封层的内侧延伸到外侧,并且,金属层选择性地设置在布线层与密封层重叠的区域中,且金属层的光透过率比第二衬底低。此外,在上述密封体中,闭环状的密封层通过在其内侧(框架内)包括半导体元件可以构成半导体装置。半导体元件既可以是液晶元件,又可以是发光元件。也就是说,在上述密封体中在闭环状的密封层的内侧包括液晶元件的密封体(液晶显示装置);以及包括发光元件的密封体(发光显示装置)也包括在本专利技术的一个方式的范畴中。此外,本专利技术的一个方式是一种密封体的制造方法,包括如下步骤:在第一衬底上形成金属层;以与金属层及第一衬底接触的方式将包含低熔点玻璃及粘合剂的密封构件配置为闭环状;通过对密封构件进行第一加热处理,减少所包含的粘合剂;准备包括布线层的第二衬底;以使布线层与金属层重叠的方式重叠第一衬底与第二衬底;以及通过对密封构件进行第二加热处理,使低熔点玻璃熔融,来焊接第一衬底与第二衬底。在上述密封体的制造方法中,作为第二加热处理优选进行激光的照射处理。根据本专利技术的一个方式,可以提高使用玻璃粉密封的密封体的气密性。另外,根据本专利技术的一个方式,可以高成品率制造使用玻璃粉密封的密封体。附图说明图1A至图1D是说明密封体的一个例子的平面图及截面图;图2A至图2E是说明密封体的制造方法的一个例子的图;图3A至图3C是说明半导体装置的一个例子的平面图及截面图;图4A至图4E是示出电子设备的图;图5A至图5C是示出电子设备的图。具体实施方式下面,参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是,本发明不局限于以下说明,所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容可以被变换为各种各样的形式。因此,本专利技术不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。另外,在本说明书等说明的各附图中的各组件的大小、膜的厚度或区域有时为了容易理解而被夸大。因此,本专利技术并不一定限定于该尺度。注意,在本说明书等中,为了方便起见,附加了第一、第二等序数词,而其并不表示工序顺序或叠层顺序。此外,其在本说明书等中不表示用来特定专利技术的事项的固有名称。实施方式1在本实施方式中,参照图1A至图2E说明密封体及密封体的制造方法的一个方式。图1A至图1D示出密封体的结构例。图1A是展开密封体100的透视示意图。此外,图1B是密封体100的平面图。图1C是沿着图1B中的X1-Y1的截面图,图1D是沿着图1B中的V1-W1的截面图。根据本专利技术的一个方式的密封体具有使用密封层粘合至少形成有<本文档来自技高网
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密封体及密封体的制造方法

【技术保护点】
一种密封体,包括:设置有布线层的第一衬底;设置有金属层的第二衬底;以及粘合所述第一衬底和所述第二衬底的密封层,其中,所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬底之间,并且,所述金属层重叠于所述布线层与所述密封层的一部分。

【技术特征摘要】
2012.11.02 JP 2012-2428281.一种密封体,包括:
设置有布线层的第一衬底;
设置有金属层的第二衬底;以及
粘合所述第一衬底和所述第二衬底的密封层,
其中,所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬
底之间,
并且,所述金属层重叠于所述布线层与所述密封层的一部分。
2.根据权利要求1所述的密封体,
其中,所述布线层介于所述第一衬底与所述密封层之间,
并且,所述金属层介于所述密封层与所述第二衬底之间。
3.根据权利要求1所述的密封体,
其中,所述布线层从所述密封层的内侧延伸到外侧。
4.根据权利要求1所述的密封体,
其中,所述金属层包含半透过材料。
5.根据权利要求1所述的密封体,
其中,所述密封层包含玻璃。
6.根据权利要求1所述的密封体,
其中,所述密封层为闭环状。
7.根据权利要求1所述的密封体,还包括所述第一衬底与所述第
二衬底之间的液晶元件。
8.根据权利要求1所述的密封体,还包括所述第一衬底与所述第
二衬底之间的发光元件。
9.一种密封体,包括:
设置有布线层的第一衬底;
设置有金属层的第二衬底;以及
粘合所述第一衬底和所述第二衬底的密封层,
其中,所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬
底之间,
所述金属层重叠于所述布线层与所述密封层的一部分,
并且,所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:中村太纪窪田勇介西户祐典
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:日本;JP

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