发光设备制造技术

本发明专利技术公开了一种发光设备，包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；磷光板，配置在所述第二半导体层上；第一电极部，配置在所述磷光板上；以及多个接合部，配置在所述发光结构和所述磷光板之间，所述接合部将所述磷光板接合到所述发光结构，其中每个接合部包括电连接到所述第一电极部的至少一个第一接合部。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种发光设备，包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；磷光板，配置在所述第二半导体层上；第一电极部，配置在所述磷光板上；以及多个接合部，配置在所述发光结构和所述磷光板之间，所述接合部将所述磷光板接合到所述发光结构，其中每个接合部包括电连接到所述第一电极部的至少一个第一接合部。【专利说明】发光设备相关申请的交叉引用本申请请求2012年10月29日在韩国提交的申请号为10-2012-0120332的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，视同已在本文中充分阐述。
实施例涉及一种发光设备。
技术介绍
根据薄膜生长方法和设备材料的发展，使用II1-V族或I1-VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的发光设备呈现各种颜色，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线。发光设备使用荧光材料或颜色组合有效地实现白色光线，并且与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，具有诸如低功耗、半永久性寿命、高响应速度、稳定和生态友好的优点。一般而言，将包括磷光体和树脂的混合物的树脂组合物应用到发光芯片上，或用树脂组合物密封发光芯片，以便产生白光。此外，可以使用在发光芯片上配置含有磷光体的层、片或板的方法，来取代涂布或模制含有磷光体的树脂的方法。在这种情况下，重要的是将磷光层、磷光片或磷光板稳固地粘接到发光芯片的上部。
技术实现思路
实施例提供了一种发光设备以提高磷光板的粘接精度，并且防止由热引起的磷光板的变色和破裂。在一个实施例中，一种发光设备包括:发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；磷光板，配置在所述第二半导体层上；第一电极部，配置在所述磷光板上；以及多个接合部，配置在所述发光结构和所述磷光板之间，所述多个接合部将所述磷光板接合到所述发光结构，其中每个接合部包括电连接到所述第一电极部的至少一个第一接合部。所述第一电极部可以包括:焊盘部，配置在所述磷光板的上表面上；以及连接部，用于将所述焊盘部连接到所述第一接合部。每个接合部可以包括与所述第一电极部电隔离的至少一个第二接合部，其中所述第二接合部包括:第一接合层，配置在所述磷光板上；以及第二接合层，配置在所述发光结构上，并且接合到所述第一接合层。所述连接部可以穿过所述磷光板。所述第一接合部可以包括:第一接合电极，配置在所述第二半导体层上；以及第二接合电极，配置在所述磷光板的下表面上以及所述连接部上，并且接合到所述第一接合电极。所述第二接合电极可以熔合(fuse)到所述第一接合电极。在所述第一接合电极和所述第二接合电极之间可以存在熔合界面。所述第二接合电极的熔点可以与所述第一接合电极的熔点不同。所述第一电极部可以进一步包括配置在所述第二半导体层上的延伸电极，其中所述第一接合部包括配置在所述连接部和所述延伸电极之间的第三接合电极，并且将所述连接部接合到所述延伸电极。所述第三接合电极的熔点可以与所述延伸电极的熔点不同。所述第三接合电极可以熔合到所述延伸电极。在所述第三接合电极和所述延伸电极之间可以存在熔合界面。接合到所述第三接合电极的所述延伸电极的一个部分的宽度可以与所述延伸电极的另一部分的宽度不同。所述第三接合电极的宽度可以小于或等于所述延伸电极的宽度。所述磷光板和所述发光结构之间可以存在空气空隙(间隙)。所述第一电极部可以进一步包括配置在所述第二半导体层上的延伸电极，其中所述第一接合部包括配置在所述磷光板的下表面和所述延伸电极之间的第三接合电极，将所述磷光板接合到所述延伸电极。所述第一接合部可以进一步包括配置在所述连接部与所述延伸电极之间的接合电极，将所述连接部接合到所述延伸电极。所述第一接合电极和所述第二接合电极可以包含至少一种相同的金属。所述焊盘部可以配置在所述磷光板的一侧处。在另一实施例中，一种发光设备封装包括:封装主体；第一引线框架和第二引线框架，配置在所述封装主体上；发光设备，配置在所述第二引线框架上；以及树脂层，包围(surrounding)所述发光设备，其中所述发光设备包括:发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；磷光板，配置在所述第二半导体层上；第一电极部，配置在所述磷光板上；以及多个接合部，配置在所述发光结构和所述磷光板之间，所述多个接合部将所述磷光板接合到所述发光结构，其中每个接合部包括电连接到所述第一电极部的至少一个第一接合部。【专利附图】【附图说明】可以参照下列附图详细描述布置和实施例，附图中相似的附图标记表示相似的元件，并且其中:图1是图示出根据一个实施例的发光设备的平面图；图2是沿图1中所示的发光设备的方向AB截取的剖视图；图3是沿图1中所示的发光设备的方向CD截取的剖视图；图4图示出其上配置有图1所示的接合部的第一接合电极的第二半导体层的上表面；图5图示出其上配置有图1所示的接合部的第二接合电极的磷光板的下表面；图6图不出其上配置有第二电极的磷光板的上表面；图7图示出第一接合层到第二接合层的熔合；图8图示出熔合到第一接合层的第二接合层；图9是图示出图2和图3中所示的虚线区域的放大视图；图10是沿图1中所示的发光设备的变型实施例的方向AB截取的剖视图；图11是沿图10中所示的发光设备的变型实施例的方向CD截取的剖视图；图12是图示出根据另一实施例的发光设备的平面图；图13是沿图12中所示的发光设备的方向EF截取的剖视图；图14是沿图12中所示的发光设备的方向GH截取的剖视图；图15图示出图12所示的第一接合层和第二接合部的第二延伸电极；图16图示出图12所示的磷光板的下表面；图17图示出图12所示的磷光板的上表面；图18是图13所示的虚线区域的放大视图；图19是图14所示的虚线区域的放大视图；图20是图示出根据另一实施例的发光设备的平面图；图21是沿图20所示的发光设备的方向AB截取的剖视图；图22图示出图20所示的第一电极部；图23图示出图20中所示的磷光板的下表面；图24图示出图20中所示的磷光板的上表面；图25图示出根据图20中所示的实施例的变型实施例的发光设备；图26图示出根据一个实施例的发光设备封装；图27图示出根据一个实施例的包括发光设备封装的照明设备的分解立体图；图28是根据一个实施例的包括发光设备封装的显示设备的视图；以及图29图示出根据一个实施例的包括发光设备封装的前照灯(head lamp)。【具体实施方式】下文将通过结合附图和实施例的描述来清楚地理解实施例。在描述实施例之前，就优选实施例的描述而言，应理解的是，当提及诸如层(膜)、区域或结构的一个元件形成在诸如基板、层(膜)、区域、焊盘或图案的另一元件“上”或“下”时，该一个元件可以直接形成在该另一元件“上”或“下”，或者经由存在其间的中间元件间接形成在该另一元件“上”或“下”。当提及“在元件上”或“在元件下”时，“在该元件下”以及“在该元件上”可以包括基于该元件。在附图中，为了方便描述和简洁起见，放大、省略或示意性地图示各层的厚度和尺寸。而且，各构成元件的尺寸和面积不完全反映实际尺寸。图1是图示出根据一个实施例的发光设备100-1的平面图。图2是沿图1中所示的发光设备100-1的方向AB截取的剖视图。图3是沿图1中所示的发光设备100-1的方向⑶截取的剖视图。图4图示出其上配置有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建教，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：