一种IC元件用碱性通用型去毛刺液制造技术

本发明专利技术公开了一种IC元件用碱性通用型去毛刺液，所述去毛刺液由如下重量百分数的组分组成：软化剂40～60％，有机碱20～40％，活化剂1～5％，络合剂0.1～3％，还原剂0.1～1％，金属抗氧化剂0～3％，金属防变色剂0.1～1％，表面活性剂0.1～1％，增稠剂0～2％，余量为去离子水。本发明专利技术不仅能够有效去除树脂封装半导体元件上的树脂毛刺，同时最大限度的避免对毛刺以外的模压部分的损伤，使得处理后的元件外观和功能不受影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产领域，具体的，涉及一种IC元件用去毛刺液。
技术介绍
半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成，半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。常用封装方式有：使用金属及新陶瓷的气密封装和使用树脂的非气密封装。现在的半导体IC的封装，树脂密封约达到90％。树脂封装过程中，由于受到内部空腔、金属膜污垢、树脂质量等条件的制约，不可避免会产生毛刺(俗称溢料块)，如何去除毛刺成了影响IC元件质量的一个关键性问题。去毛刺是指在一定化学介质中通过化学反应去除树脂封装半导体元件上的树脂毛刺，使元件表面光亮、平整的一种工艺。传统的去毛刺方法包括热能去刺、机械去刺、磨料去刺等，但是这些方法都存在不同程度的缺陷，如工艺过程复杂、生产成本(能源、设备等)增加、损伤元件等。化学去毛刺是指通过在一定化学介质中，通过化学反应去除树脂封装半导体元件上的树脂毛刺，使元件表面光亮、平整的一种工艺。...

【技术保护点】
一种IC元件用碱性通用型去毛刺液，其特征在于，所述去毛刺液由如下重量百分数的组分组成：软化剂40～60％，有机碱20～40％，活化剂1～5％，络合剂0.1～3％，还原剂0.1～1％，金属抗氧化剂0～3％，金属防变色剂0.1～1％，表面活性剂0.1～1％，增稠剂0～2％，余量为去离子水。

【技术特征摘要】
1.一种IC元件用碱性通用型去毛刺液，其特征在于，所述去毛刺
液由如下重量百分数的组分组成：软化剂40～60％，有机碱20～40％，
活化剂1～5％，络合剂0.1～3％，还原剂0.1～1％，金属抗氧化剂0～
3％，金属防变色剂0.1～1％，表面活性剂0.1～1％，增稠剂0～2％，
余量为去离子水。
2.如权利要求1所述的IC元件用碱性通用型化学去毛刺液，其
特征在于，所述去毛刺液由如下重量百分数的组分组成：软化剂49.5
％，有机碱31.5％，活化剂4.0％，络合剂0.5％，还原剂0.5％，金属
抗氧化剂1.5％，金属防变色剂0.5％，表面活性剂0.5％，增稠剂1.5％，
去离子水10％。
3.如权利要求1或2所述的IC元件用碱性通用型去毛刺液，其特
征在于，所述软化剂为N-甲基吡咯烷酮、2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯
烷酮、乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、甘油、甲醇、异丙醇、乙二
醇、二缩三乙二醇中的一种或几种的混合物。
4.如权利要求1或2所述的IC元件用碱性通用型去毛刺液，其特
征在于，所述有机碱为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基一乙
醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙酰乙醇胺、N，N-二甲基甲酰胺、四乙
基氢氧化铵、三乙胺、甲醇钠中的一种或几种的混合物。
5.如权利要求1或2所述的IC元件用碱性通用型去毛刺液，其特
征在于，所述活化剂为碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、氢氧化钠、氢氧
化钾、氢氧化钡、氢氧化钙、氨水中的一种或几种的混合物。
6.如权利要求1或2所述的IC元件用碱性通用型去毛刺液，其特
征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：景欣欣，刘成，王婷婷，陈珍珍，
申请(专利权)人：苏州禾川化学技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32