【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于真空冶炼领域，特别涉及一种制造碳化硅微粉的真空冶炼炉。
技术介绍
碳化硅(SiC) 材料是继二代半导体发展起来的一种新型半导体材料。它所特有的宽带隙(Eg>2.3ev)、高热导率（θK=4.9W cm-1K-1）、高临界击穿电场(V=3.0MV cm-1)、高载流子饱和漂移(ζsat=2.0×107cm S-1) 等特点，在高温、大功率、高频、光电子和抗辐射等方面的应用潜力较大。像地热钻井、石油、航空航天、核能开发等领域用到了其高温和抗辐射的特殊性能；对于高频、高功率，SiC 器件则是用在雷达、通信和广播电视领域。可以看出，SiC材料未来必将以其优异的物理和化学性能在高科技领域中展现其重要的应用价值。用常规制备碳化硅粉末的方法是用电炉加热进行碳热还原反应，但是由于空气中含氧，所以存在加热时易被氧化的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种制造碳化硅微粉的真空冶炼炉，方案如下：一种制造碳化硅微粉的真空冶炼炉，包括真空冶炼炉的炉体、与炉体连接的真空系统和送料装置，所述炉体内设有坩埚，坩埚外装有加热电极，所述加热电极的四周装有保温材料，所述坩埚的底部装有出料管，所述出料管末端通入高压气体喷射口，所述高压气体喷射口与空气压缩机连接。所述炉体顶端装有喷射阀门提升装置，所述喷射阀门提升装置的塞杆置于坩埚底部的出料管管口上，通过该装置提升/降落所述塞杆，可实现控制炉内的熔融液体流出的速度。所述出料管外侧装有第二加热电极，对液态的碳化硅进行加热，保证其不会凝固。所述第二加热...
【技术保护点】
一种制造碳化硅微粉的真空冶炼炉，包括真空冶炼炉的炉体（1）、与炉体连接的真空系统（11）和送料装置（12），其特征在于：所述炉体内设有坩埚（2），坩埚（2）外装有加热电极（3），所述加热电极（3）的四周装有保温材料（4），所述坩埚（2）的底部装有出料管（5），所述出料管（5）末端通入高压气体喷射口（6），所述高压气体喷射口（6）与空气压缩机（7）连接。
【技术特征摘要】
1.一种制造碳化硅微粉的真空冶炼炉，包括真空冶炼炉的炉体（1）、与炉体连接的真空系统（11）和送料装置（12），其特征在于：所述炉体内设有坩埚（2），坩埚（2）外装有加热电极（3），所述加热电极（3）的四周装有保温材料（4），所述坩埚（2）的底部装有出料管（5），所述出料管（5）末端通入高压气体喷射口（6），所述高压气体喷射口（6）与空气压缩机（7）连接。
2.根据权利要求1所述的制造碳化硅微粉的真空冶炼炉，其特征在于：所述炉体顶端设有装有喷射阀门提升装...
【专利技术属性】
技术研发人员：芮华，牛登付，
申请(专利权)人：吴江亿泰真空设备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。