有机发光显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光显示面板及其制造方法，所述有机发光显示面板因防止了湿气或氧气的渗入而具有延长的寿命并以较低的成本制造。该有机发光显示面板包括发光二极管阵列基板和通过粘合膜粘合于该发光阵列二极管基板的封装基板。所述发光阵列二极管基板包括：形成于基板上的驱动薄膜晶体管；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括连接于驱动薄膜晶体管的第一电极、形成于第一电极上的有机发射层和形成于有机发射层上的第二电极；和形成于第二电极上的第一和第二钝化层。其中，第一钝化层由具有下式1所示结构式中至少一种结构式的有机化合物形成：<式1>其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的C6-C40芳香族基团。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2012年10月31日递交的韩国专利申请第10-2012-0122752号的优先权，并通过援引将其并入本说明书中如同其在此得到完整阐述。
本专利技术涉及一种有机发光显示面板及其制造方法，更具体而言，涉及下述有机发光显示面板及其制造方法：所述显示面板因防止了湿气或氧气渗入有机发光二极管而具有延长的寿命并以较低的成本制造。
技术介绍
作为自发光装置的常规有机发光显示装置不需要背光单元，因此可以是质轻而薄的，并且可以采用简单的制造方法来制造。另外，这些有机发光装置具有宽视角、快速响应时间和高对比度等，因此适于用作下一代平板显示器。具体而言，有机发光显示面板包括：发光二极管阵列基板，其包括驱动薄膜晶体管(TFT)、各自连接于驱动TFT的有机发光二极管和为保护有机发光二极管而形成的钝化层；和通过粘合膜与该发光二极管阵列基板粘合的封装基板。就此而言，钝化层通常具有高的热稳定性，并由廉价的Alq3形成。然而，在沉积Alq3时会产生灰分，由此钝化层不会均一地沉积在有机发光二极管上。换言之，由于灰分的产生，灰分与钝化层一起沉积，因此钝化层不能均一地形成。由于钝化层的非均一沉积，正极与钝化层之间形成空隙，因此湿气或氧气会渗透到二者之间的空隙中。如上所述，因为湿气或氧气渗透到正极与钝化层之间，所以缩短了有机发光二极管的寿命。另外，为了补充构成Alq3的材料，将诸如DNTPD或IDE406等有机材料用作形>成钝化层的材料。然而，这些有机材料的成本高，导致有机发光显示面板的制造成本增加。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及下述有机发光显示面板及其制造方法，所述显示面板基本消除了现有技术的局限和缺点所带来的一个或多个问题。本专利技术的一个目的是提供一种有机发光显示面板，所述显示面板因防止了湿气或氧气的渗入而可以具有延长的寿命并可以以较低成本制得。本专利技术的其他优点、目的和特征中的一部分将在说明书的以下内容中阐明，另一部分对于本领域技术人员而言在检验以下内容之后将变得显而易见或可从本专利技术的实施中学得。本专利技术的目的和其他优点可通过书面说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构而实现或达到。为实现这些目的和其他优点，根据本专利技术的目的，本文所实施并广泛描述的一种有机发光显示面板包括：形成于基板上的驱动薄膜晶体管；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括连接于驱动薄膜晶体管的第一电极、形成于第一电极上的有机发射层和形成于有机发射层上的第二电极；和形成于第二电极上的第一和第二钝化层；发光二极管阵列基板，所述发光二极管阵列基板包括该驱动薄膜晶体管、该有机发光二极管、该第一钝化层和该第二钝化层；以及通过粘合膜粘合于发光二极管阵列基板的封装基板，其中第一钝化层由具有下式1所述结构式中至少一种结构式的有机化合物形成：<式1>其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的C6-C40芳香族基团。第一钝化层可以形成在整个第二电极上。第一钝化层可以完全地形成于有机发射层和第二电极上，以覆盖有机发射层和第二电极的侧表面。具有式1的结构式中的至少一种的有机化合物可以选自HM-01～HM-65：在本专利技术的另一方面中，一种制造有机发光显示面板的方法包括：在基板上形成驱动薄膜晶体管，形成连接于驱动薄膜晶体管的第一电极，在所述第一电极上形成有机发射层和第二电极，在所述第二电极上形成第一钝化层，在整个基板(其上已形成有所述第一钝化层)上形成第二钝化层，并通过粘合膜将包括所述驱动薄膜晶体管、所述第一电极、所述有机发射层、所述第二电极、所述第一钝化层和所述第二钝化层的发光二极管阵列基板粘合于封装基板，其中，所述第一钝化层由具有下式1所示结构式中至少一种结构式的有机化合物形成：<式1>其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的C6-C40芳香族基团。第一钝化层可以形成在整个第二电极上。第一钝化层可以使用与用于形成有机发射层和第二电极的掩模相同的掩模通过沉积而形成。第一钝化层可以完全地形成于有机发射层和第二电极上，以覆盖有机发射层和第二电极的侧表面。应当理解的是，本专利技术的前述概括性描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，用来提供对所要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明包含附图是为了提供对本专利技术的进一步理解，并且将其并入本申请并构成本申请的一部分，附图显示本专利技术的实施方式，并与说明书一起用来解释本专利技术的原理。在附图中：图1显示的是作为在常规空穴注入层中使用的化合物的DNTPD和IDE406的结构式；图2是本专利技术的实施方式的有机发光显示面板的截面图；图3是显示第一保护层的另一实例的截面图；图4A～4J是依次阐明本专利技术的实施方式的制造有机发光显示面板的方法的截面图；以及图5是显示出使用由Alq3形成的保护层时有机发光二极管的寿命与使用本专利技术的第一保护层时有机发光二极管的寿命之间的比较结果的图。具体实施方式下面将对本专利技术的优选实施方式进行详细论述，所述优选实施方式的实例如附图中所示。只要可能，所有附图中将使用相同的附图标记来指示相同或相似的部分。当确定对
技术介绍
的详细描述可能不必要地使本专利技术的主题变得不清楚时，将省略对其的描述。下面将参照图2～5详细描述本专利技术的实施方式。图2是本专利技术的实施方式的有机发光显示面板的截面图。图3是显示第一钝化层的另一实例的截面图。如图2所示，有机发光显示面板包括发光二极管阵列基板和通过粘合膜152粘合于该发光二极管阵列基板的封装基板150。发光二极管阵列基板包括：形成于基板100上的驱动薄膜晶体管(TFT)，连接于驱动TFT的有机发光二极管，和用于保护有机发光二极管的第一和第二钝化层146和148。如图2中所示，在驱动TFT中，缓冲层116和有源层114形成在基板100上，并且形成栅极106使之与有源层114的沟道区114c相对应，二者之间夹有栅绝缘层112。源极110和漏极108之间设置有所述栅极106和夹层绝缘层118以使其相互绝缘。源极110和漏极108分别连接于有源层114的源区114S和漏区114D，源区114S和漏区114D分别通过经由源接触孔124S和漏接触孔124D注入n+杂质而形成，源接触孔124S和漏接触孔124D各自穿透夹层绝缘层118和栅绝缘层112。另外，有源层114可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：形成于基板上的驱动薄膜晶体管；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：连接于所述驱动薄膜晶体管的第一电极，形成于所述第一电极上的有机发射层，和形成于所述有机发射层上的第二电极；和形成于所述第二电极上的第一钝化层和第二钝化层；发光二极管阵列基板，所述发光二极管阵列基板包括所述驱动薄膜晶体管、所述有机发光二极管、所述第一钝化层和所述第二钝化层；和通过粘合膜粘合于所述发光二极管阵列基板的封装基板，其中，所述第一钝化层由具有下式1所示结构式中至少一种结构式的有机化合物形成：<式1>其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的C6‑C40芳香族基团。

【技术特征摘要】
2012.10.31 KR 10-2012-01227521.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：
形成于基板上的驱动薄膜晶体管；
有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：连接于所述驱动薄膜晶体管的第一
电极，形成于所述第一电极上的有机发射层，和形成于所述有机发射层上的第二电极；
和
形成于所述第二电极上的第一钝化层和第二钝化层；
发光二极管阵列基板，所述发光二极管阵列基板包括所述驱动薄膜晶体管、所述
有机发光二极管、所述第一钝化层和所述第二钝化层；和
通过粘合膜粘合于所述发光二极管阵列基板的封装基板，
其中，所述第一钝化层由具有下式1所示结构式中至少一种结构式的有机化合物
形成：
<式1>
其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自具有取代基或不具有取代基
的C6-C40芳香族基团。
2.如权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述第一钝化层形成在整个
所述第二电极上。
3.如权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述第一钝化层完全地形成
在所述有机发射层和所述第二电极上，以覆盖所述有机发射层和所述第二电极的侧表
面。
4.如权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，具有式1所示结构式中至少
一种结构式的所述有机化合物选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐正大，韩敞旭，卓润兴，金孝锡，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR