InAlN/InGaN异质结材料结构及其生长方法技术

本发明专利技术公开了一种InAlN/InGaN异质结材料结构及其生长方法，其结构包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InxGa1-xN沟道层、AlN保护层、AIN插入层和InyAl1-yN势垒层，其中0＜x＜0.5、0＜y＜0.3。其生长方法，包括以下步骤：1）选取衬底并在氢气气氛下对所述衬底进行表面预处理；2）在所述衬底上依次生长GaN成核层、GaN缓冲层、InxGa1-xN沟道层、AlN保护层、AIN插入层和InyAl1-yN势垒层。优点：本发明专利技术的InAlN/InGaN异质结材料的电学性质优良，生长方法具有简单易行、重复性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
InAlN/InGaN异质结材料结构，其特征在于：包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InxGa1‑xN沟道层、AlN保护层、AIN插入层和InyAl1‑yN势垒层，其中0＜x＜0.5、0＜y＜0.3。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董逊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32