显示装置制造方法及图纸

一实施方式的显示装置具备多个半导体层（SC）、第1绝缘膜（GI、II、PL）、第1导电层（OE）、第2绝缘膜（PS）、以及具有第2导电层（PE）的显示元件。第1导电层及第2导电层相互对置，形成电容部（Cad）。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一实施方式的显示装置具备多个半导体层（SC）、第1绝缘膜（GI、II、PL）、第1导电层（OE）、第2绝缘膜（PS）、以及具有第2导电层（PE）的显示元件。第1导电层及第2导电层相互对置，形成电容部（Cad）。【专利说明】显示装置
本专利技术的实施方式涉及显示装置。
技术介绍
近年来，活用薄型、轻量、低耗电的特征，以液晶显示装置为代表的平面显示装置的需求急速增长。其中，以便携式信息设备为首，在各种显示器中利用了有源矩阵型显示装置，该有源矩阵型显示装置在各像素上设有像素开关，该像素开关具有将导通像素和非导通像素电分离且保持向导通像素提供的影像信号的功能。作为这种平面型的有源矩阵型显示装置，使用自发光元件的有机EL显示装置受到关注并进行了积极的研发。有机EL显示装置具有如下特征:无需背光源，能够由高速的响应性进行动画再生，且在低温下亮度不会下降，所以适合在寒冷地区使用。通常，有机EL显示装置具备沿着多个行、多个列排列设置的多个像素。各像素由作为自发光元件的有机EL元件、以及向有机EL元件供给驱动电流的像素电路构成，通过控制有机EL元件的发光亮度来进行显示动作。作为像素电路的驱动方式，已知有通过电压信号进行的方式。另外，提出了如下的显示装置，使电压电源进行开关动作，通过切换高低电平并从影像信号布线输出影像信号及初始化信号的双方，从而削减像素的构成元件数量和布线数量，减小像素的布局面积，由此实现闻精细化。在先技术文献专利文献专利文献1:美国专利第6，229，506号说明书专利文献2:日本特开2007-310311号公报专利文献3:日本特开2011-145622号公报然而，近年来进一步要求像素的高精细化。当像素的尺寸缩小时，难以将各像素的多个元件配置在预定的区域内。
技术实现思路
本专利技术是鉴于以上的问题点而做出的，其目的在于，提供一种高精细的显示装置。一个实施方式的显示装置具备:多个半导体层；第I绝缘膜，设置于所述多个半导体层的上方；第I导电层，由金属形成，设置于所述第I绝缘膜上；第2绝缘膜，设置于所述第I绝缘膜及第I导电层上；以及显示元件，具有设置于所述第2绝缘膜上的第2导电层；所述第I导电层及第2导电层相互对置,形成电容部。另外，一个实施方式的显示装置具备:第I绝缘膜，设置在形成于相互不同的层上的多个半导体层、第I导电层及第2导电层的上方；第3导电层，设置在所述第I绝缘膜上，与高电位电源及低电位电源的任意一方连接;第2绝缘膜，设置在所述第I绝缘膜及第3导电层上；以及显示元件，具有设置在所述第2绝缘膜上的第4导电层；所述第3导电层及第4导电层相互对置，形成电容部。【专利附图】【附图说明】图1是概略性地表示第I实施方式的显示装置的俯视图。图2是图1的显示装置的像素的等效电路图。图3是概略性地表示图1的显示装置所能够采用的结构的一例的局部截面图。图4是表示上述第I实施方式的显示装置的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。图5是表示上述第I实施方式的显示装置的俯视图，是表示图3及图4所示的导电层的整体概略结构的图。图6是将上述连接电极及导电层放大表示的俯视图。图7是表示上述第I实施方式的像素的配置构成的一例的示意图。图8是表示采用上述第I实施方式的像素的配置构成并将偏置取消动作设为I次时的、扫描线驱动电路的控制信号的时序图。图9是表示采用上述第I实施方式的像素的配置构成并将偏置取消动作设为2次时的、扫描线驱动电路的控制信号的时序图。图10是表示上述第I实施方式的显示装置的变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。图11是表示上述第I实施方式的显示装置的其他变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、导电层及像素电极的图。图12是第2实施方式的显示装置的像素的等效电路图。图13是表示上述第2实施方式的显示装置的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。图14是表示上述第2实施方式的显示装置的变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。图15是表示上述第2实施方式的显示装置的其他变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、导电层及像素电极的图。图16是第3实施方式的显示装置的像素的等效电路图。图17是概略性表示上述第3实施方式的显示装置所能够采用的结构的一例的局部截面图。图18是表示上述第3实施方式的显示装置的局部截面图，是表示驱动晶体管、输出开关、电源线、导电层及像素电极的图。图19是表示上述第3实施方式的实施例1的显示装置的俯视图，是表示导电层的第I例的整体概略结构的图。图20是表示上述第3实施方式的实施例1的显示装置的俯视图，是表示导电层的第2例的整体概略结构的图。图21是表示上述第3实施方式的实施例1的像素的配置构成的示意图。图22是表示上述第3实施方式的实施例1的图素的俯视图。图23是表示采用上述第3实施方式的实施例1的像素的配置构成并将偏置取消动作设为I次时的、扫描线驱动电路的控制信号的时序图。图24是表示采用上述第3实施方式的实施例1的像素的配置构成并将偏置取消动作设为2次时的、扫描线驱动电路的控制信号的时序图。图25是第4实施方式的显示装置的像素的等效电路图。图26是表示上述第4实施方式的实施例1的显示装置的俯视图，是表示导电层的整体概略结构的图。图27是表示上述第4实施方式的实施例2的显示装置的俯视图，是表示导电层的整体概略结构的图。图28是第5实施方式的显示装置的像素的等效电路图。图29是表示上述第5实施方式的显示装置的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、导电层以及像素电极的图。图30是表示上述第5实施方式的实施例1的显示装置的俯视图，是表示导电层及电源线的整体概略结构的图。图31是表示上述第5实施方式的实施例2的显示装置的俯视图，是表示导电层及电源线的整体概略结构的图。图32是表示上述第5实施方式的实施例3的显示装置的俯视图，是表示导电层及电源线的整体概略结构的图。图33是表示上述第5实施方式的图素的俯视图。图34是表示第6实施方式的显示装置的俯视图，是表示导电层、对置电极及电源线的整体概略结构的图。图35是表示上述第5实施方式的显示装置的变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。图36是表示上述第5实施方式的显示装置的其他变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、导电层及像素电极的图。图37是概略性地表示第7实施方式的显示装置所能够采用的结构的一例的局部截面图。图38是表示上述第7实施方式的显示装置的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、导电层及像素电极的图。图39是表示上述第7实施方式的显示装置的变形例的局部截面图，是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。【具体实施方式】下面，参照附图详细说明第I实施方式的显示装置及显示装置的驱动方法。在该实施方式中，显示装置是有源矩阵型的显示装置，更详细地说，是有源矩阵型的有机EL(electroluminescence:电致发光)显示装置。图1是概略性地表示本实施方式的显示装置的俯视图。图2是图1的显示装置的像素的等效电路图。图3是概本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，具备：多个半导体层；第1绝缘膜，设置于所述多个半导体层的上方；第1导电层，由金属形成，设置于所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，设置于所述第1绝缘膜及所述第1导电层上；以及显示元件，具有设置于所述第2绝缘膜上的第2导电层，所述第1导电层及第2导电层相互对置，形成电容部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小俣一由，木村裕之，涩沢诚，田畠弘志，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP