本发明专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置，属于显示技术科领域，其可解决现有的有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置由于电源电压信号线压降大，造成有机发光二极管的驱动电压有差异大，进而影响显示亮度的均一性的问题。本发明专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置，通过将电源信号结构设计成包括面状结构的电源信号电极，降低了电源信号结构的电阻，相应地降低了VDD的压降，从而导致有机发光二极管的驱动电压差异较小，保证了显示面板显示亮度的均一性。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置，属于显示技术科领域，其可解决现有的有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置由于电源电压信号线压降大，造成有机发光二极管的驱动电压有差异大，进而影响显示亮度的均一性的问题。本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置，通过将电源信号结构设计成包括面状结构的电源信号电极，降低了电源信号结构的电阻，相应地降低了VDD的压降，从而导致有机发光二极管的驱动电压差异较小，保证了显示面板显示亮度的均一性。【专利说明】一种有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示基板和包括该有源矩阵有机发光二极管显示基板的显示装置
技术介绍
有机发光显示器(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)的驱动方法分为被动矩阵式(Passive Matrix, PM)和主动矩阵式(Active Matrix, AM)两种。而相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。如图1所示，现有技术的一种主动矩阵式有机发光显示器的像素单元的等效电路包括:开关管Ml、驱动管M2、存储电容Cl以及有机发光二极管D1。其中，开关管Ml在栅极被扫描信号Vscan (η)选通时打开，引入数据信号Vdata。驱动管M2—般工作在饱和区，其栅源电压Vgs (也就是数据信号Vdata)决定了流过其电流的大小，进而为有机发光二极管Dl提供了稳定的电流。其中，VDD为电源电压，提供有机发光二极管Dl发光所需要的能源，也就是说VDD影响有机发光二极管Dl的发光亮度。而存储电容Cl的作用是在一巾贞的时间内维持驱动管M2栅极电压的稳定。当然，也可以附加其它阈值补偿电路，用于补偿驱动晶体管M2的阈值漂移，使得流过驱动管M2的电流不受其阈值电压漂移的影响。如图3所示为有源矩阵有机发光二极管显示面板的像素截面结构示意图，包括衬底基板1，位于衬底基板I上的缓冲层4，位于缓冲层4上的有源层6，位于有源层6上的第二绝缘层5，位于第二绝缘层5上的栅极9和信号走线区15层，位于栅极9和信号走线区15层上方的第三绝缘层7，位于第三绝缘层上方的源极8、漏极10和电源信号连接线22，图中的电源信号连接线22可根据需要与薄膜晶体管连接，源极8和漏极10通过过孔与有源层6连接，11为平坦化层，12为有机发光二极管的阳极，通过过孔与漏极10连接，14为有机发光层，13为像素界定层。如图2所示，目前的设计上，所有的像素(图2中“。”代表像素)都是通过显示区域18外围和内部的VDD走线16连接在一起，但是随着分辨率的提高，每个像素17越来越小，故当VDD走线16变得非常细且非常长的时候，依然会造成比较大的压降导致不同像素单元VDD的电压有差异，从而导致有机发光二极管Dl的驱动电压有差异，严重时可能会导致面板显示亮度不均一。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术中VDD走线造成比较大的压降，从而产生OLED器件的驱动电压有差异，面板显示亮度不均一的问题，提供一种能够实现VDD信号压降更小，面板显示亮度更均一的有源矩阵有机发光二极体基板。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，包括衬底基板和位于衬底基板上呈矩阵排列的多个像素结构，还包括，为每个所述像素结构提供电源信号的电源信号结构，所述电源信号结构包括一层面状结构的电源信号电极。由于电源信号结构包括面状结构的电源信号电极，降低了电源信号结构的电阻，相应地降低了 VDD的压降，从而导致有机发光二极管的驱动电压差异较小，保证了显示面板显示亮度的均一性。较佳地，所述电源信号结构还包括电源信号连接线，所述电源信号连接线与所述的电源信号电极并联连接。电源信号连接线与所述的电源信号电极并联进一步降低了电源电压的压降。较佳地，所述的每个像素结构包括用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管，所述的电源信号连接线与薄膜晶体管的栅极同层设置，所述电源信号电极位于所述衬底基板表面。其中，电源信号连接线与薄膜晶体管的栅极同层设置能简化制作工艺，一次制作完成；电源信号电极设于衬底基板表面，能够尽量的增大电源信号电极面积，避免过多的开口。较佳地，所述的每个像素结构包括用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管，所述的电源信号连接线与薄膜晶体管的源漏极同层设置，所述的电源信号电极位于所述衬底基板表面。其中，电源信号连接线与薄膜晶体管的源漏极同层设置能简化制作工艺，一次制作完成；电源信号电极设于衬底基板表面，能够尽量的增大电源信号电极面积，避免过多的开□。较佳地，所述的电源信号电极与所述薄膜晶体管的有源层对应区域不重叠。这样能避免电源电压信号对有源层产生感应电荷，从而影响对薄膜晶体管的控制。较佳地，所述显示基板还包括信号走线区，所述电源信号电极与所述信号走线区的对应区域不重叠。这样能避免电源电压信号对信号走线区产生不良影响。较佳地，所述的电源信号连接线与所述的电源信号电极通过过孔连接。较佳地，所述有机发光二极管的阳极与所述薄膜晶体管的漏极连接。本专利技术的另一个目的是提供一种显示装置，包括上述的有源矩阵有机发光二极管显不基板。本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示基板及包括该有源矩阵有机发光二极管显示基板的显示装置，由于电源信号结构包括面状结构的电源信号电极，降低了电源信号结构的电阻，相应地降低了 VDD的压降，从而导致有机发光二极管的驱动电压差异较小，保证了显示面板显示亮度的均一性。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中有源矩阵有机发光二极管显示基板的像素单元的等效电路示意图。图2为现有技术中有源矩阵有机发光二极管显示基板的VDD走线的示意图。图3为现有技术中有源矩阵有机发光二极管显示基板单个像素剖面示意图。图4为本专利技术实施例1中有源矩阵有机发光二极管显示基板单个像素剖面示意图，其中，电源信号连接线与源/漏极同层设置，电源信号电极与薄膜晶体管的有源层对应区域不重叠。图5为本专利技术实施例1中有源矩阵有机发光二极管显示基板单个像素剖面示意图，其中，电源信号连接线与栅极同层设置，电源信号电极与信号走线区对应区域不重叠。图6为本专利技术实施例1中有源矩阵有机发光二极管显示基板俯视示意图。其中:1.衬底基板；21.电源信号电极；22.电源信号连接线；3.第一绝缘层；4.缓冲层；5.第二绝缘层；6.有源层；7.第三绝缘层；8.源极；9.栅极；10.漏极；11.平坦化层；12阳极；13.像素界定层；14.有机发光层；15.信号走线区；16.VDD走线；17.像素；18.显示区域。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1如图4-5所示，本实施例提供一种有源矩阵有机发光二极管显示基板。有源矩阵有机发光二极管显示基板包括衬底基板I和位于衬底基板上呈矩阵排列的多个像素结构，还包括，为每个像素结构提供电源信号的电源信号结构，电源信号结构包括一层面状结构的电源信号电极21，所述的“面状结构”指电源信号电极21在每个像素结构为独立的一层，应当理解的是，当需要输入电源信号的薄膜晶体管与面状电源本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，包括衬底基板和位于衬底基板上呈矩阵排列的多个像素结构，其特征在于，还包括，为每个所述像素结构提供电源信号的电源信号结构，所述电源信号结构包括一层面状结构的电源信号电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司， 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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