【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种用于测量低温介质的铂电阻温度传感器封装结构。其包括传感器壳体，在传感器壳体内放置陶瓷铂电阻敏感元件和测量引线，传感器壳体端部通过密封胶密封；测量引线的一端连接陶瓷铂电阻敏感元件，测量引线的另一端延伸出密封胶；所述的测量引线中间部分绕成螺旋状填充于传感器壳体中部内；传感器壳体两端内、且在测量引线的两端采用填充材料填充。本技术结构可用于低温氦气（最低温度77K）的温度监测，将测量引线绕成螺旋状置入传感器壳体内，使更长的测量引线和陶瓷铂电阻敏感元件同时进行充分预冷，这样可消除或减少敏感元件与测量引线的热传导，以缩短铂电阻敏感元件的响应时间。【专利说明】用于测量低温介质的铂电阻温度传感器封装结构
本技术涉及钼电阻温度传感器，具体涉及一种用于测量低温介质的钼电阻传感器。
技术介绍
钼电阻温度传感器是利用其电阻与温度成一定函数关系而制成的温度传感器，因有较宽的测温范围(_260°C?650°C)而被广泛地使用在低温介质温度的测量，用陶瓷钼电阻敏感元件封装后的温度传感器的响应时间是影响测量精度的重要因素，因其封装结构不同传感器响应时间产生的误差...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周绍志，崔文德，章洁平，王瑞芳，王立，张波，李春林，
申请(专利权)人：北京航天发射技术研究所，中国运载火箭技术研究院，
类型：实用新型
国别省市：
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