一种可部分重复利用的还原炉石墨电极制造技术

本实用新型专利技术涉及一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，它包括：石墨底座，石墨盖，石墨夹瓣，石墨底座为柱型结构，底面有与金属电极相互配合的凹槽台面，上部有与石墨盖配合的螺纹，石墨盖为台锥形，中心通孔，底部内孔设有与石墨底座匹配的螺纹，顶部内孔有与石墨夹瓣配合的斜面，石墨夹瓣为三瓣结构，其在中心通孔的圆锥体上每隔120°处做开口，成为三瓣。所述的石墨底座的螺纹圈数为M，石墨盖的螺纹圈数分别为M或M-2或M-2*2。本实用新型专利技术在于多晶硅生长过程中，气相沉积的多晶硅只能够渗入到上紧的螺纹的第二圈，通过螺纹的密封并设置不同螺纹圈数的石墨盖，就能够使石墨底座多次利用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，它包括：石墨底座，石墨盖，石墨夹瓣，石墨底座为柱型结构，底面有与金属电极相互配合的凹槽台面，上部有与石墨盖配合的螺纹，石墨盖为台锥形，中心通孔，底部内孔设有与石墨底座匹配的螺纹，顶部内孔有与石墨夹瓣配合的斜面，石墨夹瓣为三瓣结构，其在中心通孔的圆锥体上每隔120°处做开口，成为三瓣。所述的石墨底座的螺纹圈数为M，石墨盖的螺纹圈数分别为M或M-2或M-2*2。本技术在于多晶硅生长过程中，气相沉积的多晶硅只能够渗入到上紧的螺纹的第二圈，通过螺纹的密封并设置不同螺纹圈数的石墨盖，就能够使石墨底座多次利用。【专利说明】—种可部分重复利用的还原炉石墨电极一、
本技术涉及一种可部分重复利用的还原炉石墨电极。二、
技术介绍
由于石墨的导电性能好，多晶硅还原炉通常使用石墨作为电极，用于夹紧气相沉积的载体-硅芯。但是通常使用的还原炉石墨件在生长大棒径硅棒后，会在表面及与硅芯连接处沉积一层很厚的晶体硅，导致无法再次使用，而石墨件在多晶硅成本中占有不小的比重，非常浪费。以24对棒还原炉计算，每炉需要石墨件48个，即使忽略后期煅烧、包装等加工成本，单采购成本也需四万元左右，因此如何做到石墨件的重复使用就成为降低多晶硅生产成本的关键。三、
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，其是对还原炉石墨件进行改进，使得石墨件中最主要的、所占成本最闻的部件-石墨底座(占石墨总成本70%以上)可以多次利用，能够大幅降低每炉多晶硅的成本。本技术的目的是这样来实现的:一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，它包括:石墨底座，石墨盖，石墨夹瓣，石墨底座为柱型结构，底面有与金属电极相互配合的凹槽台面，上部有与石墨盖配合的螺纹，石墨盖为台锥形，中心通孔，底部内孔设有与石墨底座匹配的螺纹，顶部内孔有与石墨夹瓣配合的斜面，石墨夹瓣为三瓣结构，其在中心通孔的圆锥体上每隔120°处做开口，成为三瓣。所述的石墨底座的螺纹圈数为M，石墨盖的螺纹圈数分别为M或M-2或M-2*2。本技术在于多晶硅生长过程中，气相沉积的多晶硅只能够渗入到上紧的螺纹的第二圈，通过螺纹的密封并设置不同螺纹圈数的石墨盖，就能够使石墨底座多次利用。四、【专利附图】【附图说明】附图1为本技术的石墨底座结构图。附图2为本技术石墨盖螺纹圈数为M的结构图。附图3为本技术石墨盖螺纹圈数为M-2的结构图。附图4为本技术石墨盖螺纹圈数为M_2*2的结构图。附图5为本技术的石墨夹瓣的结构主视图。附图6为附图5的俯视图。附图7为本技术石墨在第一次使用时的组装图。附图8为本技术石墨在第二次使用时的组装图。附图9为本技术石墨在第三次使用时的组装图。五、【具体实施方式】下面结合附图及实施例来对本技术做详细说明。参照附图，本技术一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，它包括:石墨底座1、石墨盖2、石墨夹瓣3，石墨底座I为柱型结构，底面有与金属电极相互配合的凹槽台面，上部有与石墨盖2配合的螺纹，石墨盖2为台锥形，中心通孔，底部内孔设有与石墨底座I匹配的螺纹，顶部内孔有与石墨夹瓣3配合的斜面，石墨夹瓣3为三瓣结构，其在中心通孔的圆维体上每隔120°处做开口，成为二辦，所述的石墨底座I的螺纹圈数为M,石墨盖2的螺纹圈数分别为M或M-2或M-2*2。第一次使用圈数为M的石墨盖，经过一次气相沉积后，由于螺纹密封使得气相沉积的硅质只能渗入到第二圈，需重复利用石墨底座时，敲掉石墨盖，更换石墨夹瓣，再安装螺纹圈数M-2的石墨盖，以此类推，实现石墨底座的多次利用。【权利要求】1.一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，它包括:石墨底座(I)、石墨盖(2)、石墨夹瓣(3)，其特征在于:石墨底座(I)为柱型结构，底面有与金属电极相互配合的凹槽台面，上部有与石墨盖(2)配合的螺纹，石墨盖(2)为台锥形，中心通孔，底部内孔设有与石墨底座(I)匹配的螺纹，顶部内孔有与石墨夹瓣⑶配合的斜面，石墨夹瓣⑶为三瓣结构，其在中心通孔的圆锥体上每隔120°处做开口，成为三瓣。2.如权利要求1所述的一种可部分重复利用的还原炉石墨电极，其特征在于:石墨底座(I)的螺纹圈数为M，石墨盖⑵的螺纹圈数分别为M或M-2或M-2*2。【文档编号】C01B33/027GK203568854SQ201320404629【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年6月28日 优先权日:2013年6月28日 【专利技术者】李栋, 郭飞, 鱼林 申请人:陕西天宏硅材料有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李栋，郭飞，鱼林，
申请(专利权)人：陕西天宏硅材料有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：