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自适应等离子体技术株式会社专利技术
自适应等离子体技术株式会社共有3项专利
产生等离子的等离子源线圈和使用等离子源的等离子腔制造技术
本发明提供一种用于产生等离子的等离子源线圈和使用等离子源的等离子腔。等离子源线圈接收来自电源的电力,以在预定的反应空间产生均匀的等离子。等离子源线圈包括m(在此,m≥2且m为整数)个单元线圈。每个单元线圈都具有n圈(在此,n为正实数)。...
用于产生均匀等离子体的自适应等离子体源制造技术
提供一种自适应等离子体源,其被设置在反应室的上部,所述反应室具有反应空间以形成等离子体,并被从外部RF功率源供给RF(射频)功率以在反应空间中形成电场。自适应等离子体源包括导电衬套和至少两个单元线圈。导电衬套被连接至RF功率源且被设置在...
制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备技术
一种制造半导体器件的等离子体刻蚀设备,该等离子体刻蚀设备包括: 处理室,内装要刻蚀的晶片; 第一顶,密封处理室的上端; 线圈,绕在处理室顶上,产生引入处理室的电场; 至少一个发光极尖,它穿过顶的预定部分设置,向晶...
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