本发明提供一种聚合物，其是斥水性和斥油性优异的聚合物，即便其在其他树脂中少量添加时，也能够提供斥水性和斥油性优异的树脂组合物。一种聚合物，其包含源自乙烯的结构单元(A)、特定式(1)所示的结构单元(B)和选自由特定式(2)所示的结构单元...

本发明提供一种非水电解液二次电池用绝缘性多孔层，其表面的无机填料的投影像的纵横尺寸比为1.4～4.0的范围，利用广角X射线衍射法测定出的相互正交的任意的衍射面(hkl)、(abc)的峰强度：I

一实施方式的有机电子器件的制造方法包括：器件基材形成工序，形成在基板上依次设置有第一电极、包含有机层的器件功能部、以及第二电极的器件基材；脱水工序(S22)，一边输送在密封构件上经由粘接层而层叠有保护膜的带保护膜的密封构件(10)一边进...

本发明的课题在于提供一种能够形成比由以往已知的着色感光性树脂组合物形成的滤色器亮度更高的滤色器的着色感光性树脂组合物。本发明的着色感光性树脂组合物含有着色剂、树脂、聚合性化合物和聚合引发剂，并且在如下方面具有特征：所述着色剂含有式(1)...

一种偏光膜形成用组合物，其包含呈现近晶型液晶性的聚合性液晶化合物、二色性色素、及至少2种以上有机溶剂，前述有机溶剂包含有机溶剂A和有机溶剂B，所述有机溶剂A具有比前述聚合性液晶化合物的各向同性相转变温度高‑20℃以上且50℃以下的沸点，...

本发明提供一种含有钙钛矿化合物的热耐久性高的组合物。一种组合物，其含有下述(1)成分、(2)成分和(3)成分。(A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价阳离子。B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面...

本发明提供一种经切削加工的层叠膜的制造方法，其能够抑制切削加工导致的层叠膜的层间剥离。本发明的经切削加工的层叠膜的制造方法包括：通过进行从与层叠膜的主面垂直的方向来看使切削工具漩涡状地相对移动的操作，从而切削层叠膜的第一切削工序。

一种切削加工膜的制造方法，其包括使用具备切削工具且能够设定切削宽度的切削装置对膜的层叠体进行切削加工的操作，该切削加工膜的制造方法包括：第1工序，其一边使切削工具接触层叠体的端面，一边使切削工具相对于层叠体进行相对移动，由此进行切削加工...

偏光膜形成用组合物，其包含聚合性液晶化合物、二向色性色素、光聚合引发剂、及有机溶剂，并满足下式(1)。式(1)中，A(380)表示用上述有机溶剂将偏光膜形成用组合物以其浓度成为0.4质量％的方式进行稀释而得到的溶液在380nm处的吸光度...

本发明涉及聚合性液晶组合物，其是包含具有至少1个聚合性基团并且显示近晶型液晶性的聚合性液晶化合物、二色性色素及抗氧化剂的聚合性液晶组合物，其中，前述聚合性液晶化合物所具有的聚合性基团为自由基聚合性基团，前述抗氧化剂与前述聚合性液晶化合物...

本发明提供一种含有钙钛矿化合物的热耐久性高的组合物。(1)成分：具有A、B和X的钙钛矿化合物。(A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价的阳离子。B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体以及将X配置...

一种树脂组合物，包含热塑性树脂、玻璃气球和二氧化硅粒子，当该热塑性树脂和该玻璃气球的总含量为100质量％时，玻璃气球含量的比例为10质量％以上且30质量％以下，当该热塑性树脂和该玻璃气球的总含量为100质量份时，该二氧化硅粒子含量的比例...

为了得到具有更高密度的溅射靶，作为原料需要具有更大的振实密度的氧化锡粉末。本发明是鉴于这样的背景而完成，本发明的课题在于提供一种与以往的氧化锡粉末相比具有更大的振实密度的氧化锡粉末。本发明的氧化锡(IV)粉末具有4.0g/cm

本发明的目的在于提供即使在利用激光进行切断的情况下弯曲性也优异的光学层叠体和其制造方法。本发明提供一种光学层叠体，是具备前面板和起偏器层的光学层叠体，具有在俯视图中包含外周端部的至少一部分的变形部和作为变形部以外的区域的正常部，并且，满...

本发明涉及一种非水电解液二次电池用负极活性物质，其特征在于，其由纯度为99.9质量％以上的高纯度铝或之合金形成，维氏硬度为35HV以下。

本发明提供对于初始劣化得以抑制的发光元件的制造有用的组合物、以及使用该组合物而形成的发光元件。一种发光元件用组合物，其是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物，上述主体材料包含具有仅苯环稠合3个以上而成的稠环骨架的芳香族化合物，上述...

本发明涉及用于产生睫状边缘带样结构的方法。提供用于产生包含睫状边缘带样结构的细胞聚集体的方法等，所述方法的特征在于包括在含有Wnt信号传递途径激动剂的无血清培养基或血清培养基中，将包含视网膜组织的细胞聚集体仅培养一段时间直至出现表达RP...

一种芳香族聚砜树脂，其具有由下述式(I)和下述式(II)表示的重复单元，由所述式(I)表示的重复单元的摩尔含量(m)与由所述式(II)表示的重复单元的摩尔含量(n)的比(m：n)为1：2000～1：200。(所述式(I)和所述式(II)...

本发明的一个实施方式的电子器件(1)的制造方法具备：准备工序，是准备在基板(10)上设有第1电极层(20)的带有电极的基板(2)的准备工序，第1电极层具有第1导电层(21)和设于第1导电层上的第2导电层(22)，在第1电极层的缘部的规定...

化合物，其为式(I)的化合物：