本发明是关于一种形成用于相变存储器的硫属化合物薄膜的方法。在根据本发明的形成硫属化合物薄膜的方法中，将其中形成有图案的基板载入至反应器中，以及将源气体供应至基板。此处，源气体包括选自锗源气体、镓源气体、铟源气体、硒源气体、锑源气体、碲源...

本发明涉及化学气相沉积设备。在该化学气相沉积设备中，可与外部ＲＦ电源３０２相连的ＲＦ电源连接部分３０３安装在腔室３００的上部；ＲＦ电极板３０６安装在所述腔室内，所述ＲＦ电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开并且以预定的间隔与设置在所...

本发明提供一种使用脉冲馈送处理在衬底上沉积薄膜的方法。所述方法包括执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理，和在所述第二反应气体连续馈送处理期间执行多次处理周期，其包括将第一反应气体馈送入所述腔室...

本发明提供一种使用薄膜沉积设备沉积薄膜的方法。该沉积薄膜的方法包括的操作步骤是：装载晶片至晶片块；通过第一和第二注入孔向晶片注入第一反应气体和热活化的第二反应气体进行沉积薄膜；流入含有Ｈ元素的热处理气体淹没薄膜以减少薄膜中的杂质；以及从...

本发明提供一种通过加热而在已安置的晶片上沉积薄膜的用于沉积薄膜的加热器。所述用于沉积薄膜的加热器包含：晶片支撑板，其上安置晶片，且在所述晶片支撑板的边缘处设置有多个注入孔，且在所述晶片支撑板中包含热量产生元件；杆，其设置在所述晶片支撑板...

本发明提供一种薄膜沉积装置，能够有效地使用具有高汽化温度的化学品源。该薄膜沉积装置包括一用来在晶圆片上沉积薄膜的腔室、用来容纳将被送至腔室的液体化学品源的罐体，以及一用来将罐体内沸腾的液体化学品源汽化并向腔室提供汽化的化学品源的汽化器。...

本发明涉及化学气相沉积设备。在该化学气相沉积设备中，可与外部ＲＦ电源（３０２）相连的ＲＦ电源连接部分（３０３）安装在腔室（３００）的上部；ＲＦ电极板（３０６）安装在所述腔室内，所述ＲＦ电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开并且以预定...