专利查询
首页
专利评估
登录
注册
株式会社村田制作所专利技术
株式会社村田制作所共有12091项专利
层叠陶瓷电容器制造技术
提供能够降低水分从外部电极侧侵入的可能性的层叠陶瓷电容器。在本发明的层叠陶瓷电容器(1)中,内层部(11)具有第1主面侧区域(11s1)、第2主面侧区域(11s2)、和第1主面侧区域(11s1)与第2主面侧区域(11s2)之间的中央区域...
层叠陶瓷电容器制造技术
提供能够使安装于基板时的稳定性提高并且抑制了壳体与层叠陶瓷电容器(1)接触的层叠陶瓷电容器(1)。在层叠陶瓷电容器(1)中,0.26≤WT面主面水平部(MH1)的宽度方向(W)的长度/外部电极(20)的宽度方向(W)的长度≤0.56,0...
功率放大电路制造技术
本发明实现一种能够抑制与动作模式的切换相伴的增益变动的功率放大电路。一种功率放大电路,是将驱动级放大器和功率级放大器串联连接的两级结构,具备:第1开关电路,对驱动级放大器与功率级放大器之间的节点和输出端子的导通以及不导通进行切换;以及第...
跟踪器模块和通信装置制造方法及图纸
本发明的跟踪器模块(7)具备:模块基板(90),是与配置有预调节器电路(310)所包含的开关的基板(390)分体的基板,其中,该预调节器电路构成为将输入电压转换为调整电压;开关电容电路(20),构成为基于调整电压来生成多个离散电压;以及...
光调制器制造技术
光调制器(10)具备光波导(1)、第1电极(2)、第2电极(3)、以及第1低介电常数层(4)。光波导(1)包含具有电光效应的材料。第1电极(2)包含半导体材料,与光波导(1)空开间隙进行配置。第2电极(3)配置为与第1电极(2)形成电位...
天线模块制造技术
第2正主面与第1负主面接触。一个以上的第1接地导体层位于比信号导体层靠Z轴的正侧。一个以上的第1接地导体层不位于第2正主面。在Z轴的负方向上观察,在设置有第1基板的第1基板区域,存在未设置一个以上的第1接地导体层的接地导体层非形成区域。...
层叠陶瓷电容器制造技术
本发明提供一种在陶瓷本体不易产生裂纹等的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器设为具备:陶瓷本体,在高度方向上层叠有多个陶瓷层、多个第1内部电极和多个第2内部电极,并具有在高度方向上对置的第1主面以及第2主面、在与高度方向正交的长度方向上对置的...
电感器部件制造技术
本发明提供一种电感器部件,能够进一步提高线圈布线层间的绝缘可靠性。本发明的电感器部件具备:绝缘性的坯体;以及线圈,配置在坯体的内部,沿着轴卷绕,线圈具备:第一线圈布线层,在与平行于轴的第一方向交叉的方向上延伸;以及第二线圈布线层,在轴向...
压电元件、压电陶瓷组合物、压电元件的制造方法及压电陶瓷组合物的制造方法技术
一种压电元件(例如压电致动器(10)),具备压电陶瓷层(3),压电陶瓷层(3)由存在含有K、Na、Nb和Mn的主相以及含有Mn和Nb的第二相的陶瓷烧结体构成。
多层基板制造技术
在沿Z轴的负方向观察时,在设置有辐射导体层的辐射导体层区域存在未设置一个以上的第一接地导体层的接地导体层非形成区域。在沿Z轴的负方向观察时,信号导体层具有与接地导体层非形成区域重叠的重叠部分。在接地导体层非形成区域中,在比信号导体层靠Z...
跟踪器电路和跟踪方法技术
本发明的跟踪器电路(1A)具备:输出开关电路(30),构成为将多个离散电压中的至少一个离散电压选择性地输出到功率放大器(2A);电压供给路径(P41),连结输出开关电路(30)和功率放大器(2A)之间;以及滤波器电路(40A),与电压供...
接合结构体及其制造方法、焊料接合用导电性构件和焊料接合用结构体技术
一种接合结构体,其具有第1导电性构件、第2导电性构件、以及将上述第1导电性构件和上述第2导电性构件接合的焊料接合部,上述第1导电性构件和上述第2导电性构件中的至少一者包含金属和含有1个或多个层的层状材料的粒子。
线圈部件制造技术
提供在将线材与金属端子连接的工序和安装于安装基板的工序中能够使外力不易集中于特定部位处的线圈部件。芯体(5)的凸缘部(3、4)具有安装面(7、8)、顶面(9、10)、内侧端面(11、12)、外侧端面(13、14)、第1侧表面(15、16...
层叠线圈部件制造技术
本发明的层叠线圈部件包括:绝缘体部;线圈,埋设于绝缘体部,并由多个线圈导体层电连接而成;以及外部电极,设置于绝缘体部的表面,并与线圈电连接,在绝缘体部与线圈导体层的主面之间具有第一空隙部,在与第一空隙部相同的高度具有从线圈导体层的侧面向...
层叠陶瓷电容器制造技术
本发明提供一种能够抑制层叠陶瓷电容器中的裂纹的产生并且可靠性优异的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)具备:层叠体(2),包含交替地层叠的电介质层(14)和内部电极层(15),并具有在层叠方向(T)上相互对置的两个主面(A)、在与层叠方...
多赫蒂放大器制造技术
一种多赫蒂放大器,抑制输出特性的劣化。半导体装置包含:第1端子,与载波放大器的第1相放大器的输出端子连接;第2端子,与载波放大器的第2相放大器的输出端子连接;第3端子,与峰值放大器的第1相放大器的输出端子连接;第4端子,与峰值放大器的第...
放大电路、跟踪器模块、放大模块以及通信装置制造方法及图纸
放大电路(40)具备:功率放大器(21及22);能够输出可变电源电压的跟踪器(11及12);开关(31),其连接于跟踪器(11)的输出端与跟踪器(12)的输出端之间;以及开关(33),其连接于跟踪器(12)的输出端与功率放大器(22)之...
二次电池制造技术
二次电池具备正极、包含含镁材料的负极、以及包含蒽及9,10‑二氢蒽的电解液。该电解液中的9,10‑二氢蒽的含量与电解液中的蒽的含量之比为0.03以下。由式(1)表示的过电压为0.22V以下。E=E1‑E2…(1)(E是使用具备负极作为试...
微生物培养装置及微生物培养方法制造方法及图纸
本发明的特征在于包含三层层叠结构体,该三层层叠结构体具有:培养微生物的层状的培养部(1);配置于培养部(1)的第1表面(11)的、向培养部(1)供给营养素的层状的营养素供给部(2);以及,配置于第2表面(12)的、向培养部(1)供给环境...
半导体装置制造方法及图纸
在绝缘性表面上配置有由半导体构成的器件层。场效应晶体管包含形成于器件层的第一导电型的源极区域、第一导电型的漏极区域、与第一导电型相反的第二导电型的体区域、配置在器件层上的栅极电极。体区域配置在栅极电极的正下方。在俯视绝缘性表面时栅极电极...
首页
<<
35
36
37
38
39
40
41
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
广州品唯软件有限公司
668
广西职业技术学院
1218
浙江吉利控股集团有限公司
14712
中国科学院物理研究所
2785
马栏山音视频实验室
209
中国移动通信有限公司研究院
7691
施勒智能科技上海股份有限公司
33
苏州欣优新材料科技有限公司
2
天津大学
46757
上海固极智能科技股份有限公司
39