本发明公开了一种采用铁电堆叠栅介质的增强型功率器件及其制备方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、源极电极、漏极电极、铁电堆叠栅介质钝化层、栅极电极。该器件对外延势垒层整体进行一定深度刻蚀，缩短铁电叠层到沟道距离，促进增强型性能...

本发明公开了自对准电极接触壁结构低压GaN射频器件及其制备方法。所述器件，包括平面结构的AlGaN/GaN异质结外延层；AlGaN/GaN异质结外延层上表面中心生长有帽层，AlGaN/GaN异质结外延层上表面两侧分别设置有源电极和漏电极...

本发明公开了富氧空位栅介质配合氟离子注入的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、源极电极、漏极电极、富氧空位的栅介质钝化层、栅极电极。该器件势垒层设置了一定刻蚀深度的栅极区域，促进增强型性能的...

本发明公开了一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法。所述方法减薄加工时，使用固态蜡均匀的将蜡涂抹在陶瓷盘上，需减薄加工的产品被蜡固定在陶瓷盘上完成贴合工作，通过这样改变传统减薄工艺的贴合方式，在贴合时不改变产品的Bow值、Warp值形态，将...

本发明公开了一种碳化硅晶片的退火方法。所述方法通过使用退火溶剂填满坩埚及晶片的间隙，通过将退火熔剂高温熔化，然后通过液体导热取代现在气体导热或辐射导热的方式改善退火温度的均匀性；同时通过控制降温速率降温到900℃，在该降温工艺下，晶片内...

本发明公开了一种碳化硅长晶原料的制备方法。所述方法通过使用高纯碳粉和高纯硅粉，在2000‑2300℃高温合成将高纯碳粉与高纯硅粉混合后高温合成碳化硅粉体，然后将酚醛树脂粉末与乌洛托品按照一定比例混匀后加入制备的碳化硅粉中，再混匀，在惰性...

本发明公开了一种基于电子病历的药物推荐系统，包括：预训练模块，增加了模型表达能力，加快模型训练和收敛速度；患者当前就诊表示建模模块，通过全局检索方法，并基于多头注意力机制，得到相似就诊的实体级别和相似就诊的用药表示，解决了患者横向就诊信...

本发明公开了具有新型复合钝化层的GaN基射频器件及其制备方法。所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层，AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上部为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，具有不同介电常数的复合钝化层...

本发明公开了具备同步整流控制功能的GaN高频LLC谐振变换器。本发明采用GaN器件作为开关管和数字控制器，可以实现高达1MHz的开关频率，在高频开关下有效的减小了谐振电感的感量，直接利用变压器的漏感进行谐振，减少元器件数量，有效的降低了...

本发明公开了一种小样本三维医疗影像分割系统，使用预训练模型和3D十字交叉注意力挖掘模块来实现在资源受限情况下的三维医疗影像分割，包括：超体素生成模块、3D预训练特征提取模块、3D双十字交叉注意力挖掘模块和小样本原型学习网络模块。具体来说...

本技术公开了基于Si衬底的高耐压GaN基外延结构。所述器件外延结构包括：Si衬底、AlN成核层、阶梯AlGaN缓冲层、GaN成核层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层。采用阶梯AlGaN缓冲层可以有效补偿Si衬底和...

本技术公开了一种基于Si衬底的超晶格异质结外延结构。所述外延结构包括：Si衬底、AlN成核层、AlGaN应力调控层、高阻GaN缓冲层、GaN/AlN超晶格沟道层、AlN/GaN超晶格势垒层和GaN帽层。本技术采用GaN/AlN超晶格结构...

本技术公开了一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构，包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN成核层、镓涂层、AlGaN缓冲层和氮化镓外延薄膜。本技术在硅衬底上形成氮化铝成核层；在氮化铝成核层上生长AlGaN缓冲层；在生长AlGaN缓冲层之前，在...

本技术公开一种微尺寸LED正装阵列芯片。所述正装阵列芯片采用共阴极，阳极单独控制的方式。每个发光单元由GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、n‑GaN层、绝缘介质层、p电极，绝缘介质层设置有多量子阱层、p‑GaN层。本技术利用...

本技术公开了一种硅基GaN宽阻带高选择性毫米波在片滤波器。所述滤波器包括改进型耦合馈电结构、阶跃阻抗谐振器、双端接地传输线、以及接地面。本技术在阶跃阻抗谐振器两两之间加入双端接地传输线，有效地加强了谐振器的与接地面耦合，有效地提高了频率...

本技术公开了一种多层膜结构的Micro LED显示芯片。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。该芯片从上到下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜...

本技术公开了一种Micro LED显示芯片。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连，形成串联结构。该芯片从上至下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层和氧化物支...

本技术公开了具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件。所述器件基于GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，在P型GaN层上表面沉积p电极。在刻蚀暴露出的N型GaN层表面，填充有曲面状的封装胶...

本发明公开了一种基于激光光源的远近光照明一体化前照灯及照明方法，所述照明灯包括主激光光源、副激光光源、控制光线反射结构及远近光照明结构，激光光源包括蓝色激光二极管、激光聚焦透镜、导光管和嵌有黄色荧光粉的曲面反射器，控制光线反射结构包括自...

本发明公开了一种考虑尺寸效应的氮化镓HEMT热阻优化方法。所述方法基于德拜模型建立考虑尺寸效应影响的GaN缓冲层有效热导率模型；利用COMSOL Multiphysics建立三维GaN HEMT有限元模型；将GaN缓冲层有效热导率模型引...