本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备工艺，属于太阳能电池技术领域，包括单晶硅片、P‑poly区和N‑poly区，P‑poly区和单晶硅片之间设有第一隧穿层，N‑poly区和单晶硅片之间设有第二隧穿层，单晶硅片的背面且位于P‑poly...