本发明公开了一种质子束流强度在线监测系统及其方法，应用在回旋加速器束流强度测量技术领域，解决了监测无法实时的技术问题，其技术方案要点是一种质子束流强度在线监测系统，包括相连接的质子回旋加速器和在线监测系统，所述在线监测系统包括：剥离膜，...

本发明公开了一种超导回旋加速器真空室的检漏方法，包括利用分子泵机组和氦质谱检漏仪对环形真空低温恒温室内部抽真空；当环形真空低温恒温室内部达到所要求的真空本底状态时，利用检漏工装对恒温室上的焊缝喷洒氦气，以检验恒温室是否存在漏点；若检测到...

本申请公开了一种强磁场同步回旋加速器及其磁场垫补方法，其中加速器的磁极为圆周形结构且磁极表面为连续曲线，方法包括获取实际需要的垫补磁场量；在可以加工的半径范围内，将连续曲线等效为径向宽度固定但高度待求的一系列矩形块，构建连续曲线的形状函...

本发明公开了一种用于质子束流线末端的束流接收装置，其包括用于和质子束流线末端同轴绝缘连接相连的束流导入板（1）、与束流导入板（1）同轴绝缘相连的束流阻断块（2）以及电缆；束流导入板（1）背离束流阻断块（2）的一端端面的轴向中心处开有供束...

本发明公开了一种针对加速器的换靶机构的定位系统及其定位方法，涉及加速器的换靶技术领域，包括:插板阀、设置在加速器的真空腔中的靶盘、设置在所述真空腔外的靶杆、直线驱动装置以及旋转驱动装置；所述插板阀位于真空腔的一端部；所述靶盘包括靶盘盘体...

本发明涉及一种欧姆式无磁加热结构，包括缠绕在待加热容器表面的加热丝组；每个加热丝组包括电流等大、方向相反的两根加热丝；所述加热丝表面涂有微米级绝缘材料。本发明的有益效果如下：将欧姆加热丝设计成正向电流与反向电流相结合的方式，反向电流产生...

本发明属于化学电镀技术领域，涉及一种用于铀箔镀镍的电镀液及其电镀方法。所述的电镀液含有金属离子盐400‑500g/L，导电盐3‑8g/L，光亮剂10‑50mg/L，整平剂5‑20g/L；所述的电镀液的pH为3.5‑4.5。本发明的用于铀...

本发明属于冶金材料技术领域，涉及一种高硅含钛奥氏体不锈钢材质管坯的制造方法。所述的制造方法依次包括如下步骤：(1)高硅含钛奥氏体不锈钢配料真空感应炉冶炼；(2)真空自耗重熔；(3)均质化锻造：先后进行快锻机锻造和精锻机锻造，快锻机锻造先...

本发明提供一种大数据、人工智能、超算协同的材料性能预测方法，涉及材料性能预测技术领域，所述方法包括：获取原始数据集并进行预处理；创建多个不同的贝叶斯深度网络模型；构造权重的高斯先验分布；构造似然函数；根据贝叶斯准则计算权重的后验概率分布...

本发明属于核径迹蚀刻技术领域，涉及一种带图案核孔膜的制造方法。所述的制造方法依次包括如下步骤：(1)辐照：对高分子材料薄膜进行辐照；(2)热处理：将辐照后的高分子材料薄膜放在耐高温的底板上，其上再放置带有图案的热处理模板进行热处理；(3...

本发明公开了一种回旋加速器及其内部离子源位置的调节方法，其中该调节方法包括以下步骤：在所述内部离子源的尾部法兰处设置用于调节所述内部离子源位置的位置调节结构，其中所述达标位置在所述位置调节结构的调节位置范围之内；在将所述内部离子源与中心...

本发明公开了一种加速器的径向插入靶装置，涉及径向插入靶技术领域，包括探针和陶瓷块；所述探针通过螺钉与陶瓷块的一端固接在一起。可解决超导回旋加速器空间有限而无法让径向插入靶从磁极外半径一直深入到螺旋扇磁极结构的中心区位置的问题，并能够通过...

本公开属于质谱测量技术领域，具体涉及基于陶瓷膜的气体置换装置。该装置包括同轴的第一管道和第二管道；所述第一管道的两端分别设置有氩气进气口和氩气出气口；所述第二管道为管式陶瓷膜，其位于第一管道内部，第二管道的长度长于第一管道，两端伸出第一...

本发明涉及一种后准直探测装置，包括射线源、探测器和准直器；所述准直器包括第一准直器和第二准直器；所述第一准直器和所述第二准直器的准直孔交错以使有效准直宽度小于所述第一准直器和所述第二准直器的准直孔中的任一准直宽度。本发明的有益效果如下：...

本发明公开了一种同步回旋加速器中旋转电容转子的电接触结构，其技术方案要点包括电容真空室、转动设置于电容真空室内的电容转子以及固定连接于电容转子一端用于驱动电容转子转动的转轴，所述电容转子包括设置于中部的圆盘部以及沿圆盘部周向外侧分布的叶...

本发明公开了一种超导回旋加速器引出磁通道一次谐波垫补装置，包括沿着引出路径布设在超导回旋加速器恒温室内壁的静电偏转板、引出磁通道、补偿元件；其特点是：在超导回旋加速器恒温室内壁合适的位置布设补偿元件，用于抵消引出磁通道引起的谐波场对主磁...

本发明属于废包壳中铀钚含量测量技术领域，具体涉及一种废包壳中铀钚含量的有源中子分析方法，用于对乏燃料组件的废包壳中的Pu、U含量进行直接测量，包括：步骤S1，在测量装置中，用D‑D中子发生器得到废包壳的第一总中子计数率，用AmLi中子源...

本发明属于废包壳铀钚含量测量技术领域，具体涉及一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法，用于对中子测量装置的铅屏蔽层的厚度进行计算，包括如下步骤：步骤S1，在第一中子测量装置的测量腔中设置中子源；步骤S2，在第一中子测量装置的测量腔中分别...

本发明属于核辐射检测技术领域，涉及一种用于测量低能离子束流注量率和均匀性的装置。所述的装置包括夹持架、定位轴、固定板、探测器组件，所述的夹持架表面分区放置样品并通过多根所述的定位轴固定所述的固定板，所述的固定板可沿所述的定位轴的轴向移动...

本发明涉及一种交错式照射野可调准直器，包括在二维平面上首尾交错排布以形成中心孔的四个准直单元；所述准直单元中的准直块能够在二维平面内调整位置以实现中心孔的放大或缩小。本发明的有益效果如下：(1)本发明可以灵活的对照射野尺寸大小进行二维界...