一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于废包壳铀钚含量测量技术领域，具体涉及一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法，用于对中子测量装置的铅屏蔽层的厚度进行计算，包括如下步骤：步骤S1，在第一中子测量装置的测量腔中设置中子源；步骤S2，在第一中子测量装置的测量腔中分别放入强度由高至低的γ源；选择对中子剂量率影响最小的γ源为目标γ源；目标γ源的γ强度作为临界强度，在临界强度下的γ源的剂量率值做为临界剂量率值；步骤S3，选一个模拟的γ源放入模拟的第二中子测量装置的测量腔中，逐步增加模拟铅屏蔽层的厚度，得到不同厚度下的模拟剂量率值，直到模拟剂量率值与临界剂量率值一致，此时模拟剂量率值对应的模拟铅屏蔽层的厚度就是铅屏蔽层最优值。

【技术实现步骤摘要】
一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法
本专利技术属于废包壳铀钚含量测量
，具体涉及一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法。
技术介绍
乏燃料中含有未烧尽的U235、生成的Pu239等核燃料，以及一些裂变产物和超铀元素。目前各国已经设计制造的废包壳测量装置，并在各后处理中试厂以及商用大厂进行应用，目前最新的几家后处理厂的废包壳测量装置包括法国的UP3厂、英国THORP厂、日本六个所等。其中，法国UP3厂采用有源中子测量方法，采用Cf252作为质询源。英国THORP厂采用有源中子质询方法和高分辨γ分析方法。日本六个所主要是根据法国相关工艺进行改进。2002年左右，我国中试厂进口了一台德国的废包壳测量装置CAMOS，其采用了有源中子和无源中子测量技术相结合的方法，使用了水作为慢化体，Cf252作为诱发中子源，裂变室作为中子管探测器，增加了两个电离室作为γ水平的监控和修正。随着我国核事业的快速发展，乏燃料的积累日益增多，为此相继开展了有关乏燃料后处理厂建设及工艺研究工作。为此，有必要建立废包壳中铀钚含量测量的技术途径，通过提供准确、快捷地测量废包壳内的铀钚含量以及相应的α活度等参数，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法，用于对中子测量装置的铅屏蔽层(1)的厚度进行计算，所述中子测量装置用于测量废包壳的中子计数率，所述中子测量装置为桶状结构，内部设有放置所述废包壳的测量腔(2)，所述中子管探测器(3)均匀设置在所述测量腔(2)外围，所述铅屏蔽层(1)设置在所述测量腔(2)与所述中子管探测器(3)之间，所述方法包括如下步骤：步骤S1，选择与所述中子测量装置结构相同的第一中子测量装置，在所述第一中子测量装置的测量腔中设置中子源，得到中子计数率，所述中子计数率作为基准中子计数率；步骤S2，在所述第一中子测量装置的测量腔中分别放入强度由高至低的γ源；记录每种γ源对所述基准中子...

【技术特征摘要】
1.一种中子测量装置的屏蔽层厚度的设计方法，用于对中子测量装置的铅屏蔽层(1)的厚度进行计算，所述中子测量装置用于测量废包壳的中子计数率，所述中子测量装置为桶状结构，内部设有放置所述废包壳的测量腔(2)，所述中子管探测器(3)均匀设置在所述测量腔(2)外围，所述铅屏蔽层(1)设置在所述测量腔(2)与所述中子管探测器(3)之间，所述方法包括如下步骤：步骤S1，选择与所述中子测量装置结构相同的第一中子测量装置，在所述第一中子测量装置的测量腔中设置中子源，得到中子计数率，所述中子计数率作为基准中子计数率；步骤S2，在所述第一中子测量装置的测量腔中分别放入强度由高至低的γ源；记录每种γ源对所述基准中子计数率的增加量，选择对所述基准中子计数率的增加量在5％以下的γ源为目标γ源；通过模拟计算出所述目标γ源在所述中子探测器位置处的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏磊，王仲奇，刘晓琳，邵婕文，李新军，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11