本实用新型公开了一种保证长距离移动直线度的轨道，属于导轨领域，其技术方案要点是多块走梁顶板、多块走梁侧板以及多块走梁底板，走梁顶板平行于走梁底板且垂直于走梁侧板；走梁顶板的一个端面抵接在与其相邻的另一走梁顶板的一个端面上，相邻两个走梁顶...

本实用新型涉及一种旋转机架束流线布局结构及自消色差常温质子治疗设备，布局结构的两个自消色差单元中每一个皆包括镜像对称配置的两个弯曲部段，用于偏转束流;至少一自消色差单元为奇数单元四极透镜组，在自消色差单元的镜像对称中心为中间四极透镜并线...

一种偏转磁铁及具有其的偏转装置，偏转磁铁包括：第一磁极、第二磁极、主励磁线圈和磁轭，所述主励磁线圈缠绕在所述第一磁极和第二磁极上；所述第一磁极和所述第二磁极分别与所述磁轭连接，当所述主励磁线圈中有电流通过时，所述第一磁极和所述第二磁极之...

本发明涉及一种真空环境束流能量在线调节装置，包括降能真空室、驱动部件和降能调节组件；所述降能真空室上设置有束流管道；所述降能调节组件与驱动部件连接，包括相互配合的两个降能片；所述降能片能够在所述降能真空室内重叠以改变降能厚度从而调节束流...

本发明属于标记中子束无损检测技术领域，具体涉及一种用于标记中子束无损检测的移动式D‑T中子发生器，包括通过加速管(6)连接的高频离子源系统(5)和真空系统及测量单元(7)，设置在真空系统及测量单元(7)上的关联束靶系统(8)，由高频离子...

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种D

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种一体化桌面式中子发生器。包括设置在移动柜(72)的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管(3)，冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块(19)，尾端设置靶电极(6)；还包括直筒型的真空腔(5...

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于负高压加速的小型中子发生器的靶电极，包括由靶基座(2)和电极(6)组成的外表光滑的圆柱形的外壳体，设置在靶基座(2)上、位于外壳体内部的靶片(3)，靶基座(2)上设有冷却液通道(12)，电极...

本发明涉及一种氧气气氛中微量氢的氧化吸附实验系统及方法，系统包括依次连接的氧化床、微量氢分析仪和吸附床；气源包括氢气源和氧气源，二者通过三通阀连接至所述氧化床的入口以反应生成水；微量氢分析仪用于分析残留未氧化的氢气浓度；吸附床用于吸附反...

本发明涉及一种铅及铅基合金装置用磁性净化器，包括容器和磁组件；所述容器内设置有相互连通的净化腔和过滤室；所述磁组件伸入所述净化腔内；所述容器的进液口和/或出液口设置于所述过滤室内。本发明的有益效果如下：本装置可用于铅及铅基合金反应堆冷却...

本发明属于中子源测量技术领域，具体涉及一种测量D‑T中子源源斑尺寸的装置及方法，用于对设置在靶头腔室(18)内的氚靶(13)上产生的中子源源斑(12)的尺寸进行测量，该装置包括密封设置在靶头腔室(18)上的关联α探测系统(2)和位于靶头...

本发明涉及一种耐高温零泄漏粘滞阻尼抗震器，包括缸体和置于缸体内的活塞，活塞能够沿缸体内壁滑动，且活塞两侧的缸体内空间能够连通，所述活塞与活塞杆固定连接，所述活塞杆从缸体一侧穿出，所述活塞杆与缸体的贯穿孔之间采用间隙配合，在活塞杆穿出缸体...

本发明涉及一种节约型He‑3气体灌充系统及方法，包括真空系统、供气系统、核心系统及受气系统，供气系统与核心系统的输入端连接，受气系统与核心系统的输出端连接，并分别通过阀门进行隔离；所述核心系统的抽气设备能够将低气压输入端气体抽入高气压输...

本发明涉及一种用于加速管出口的转接组件，包括加速管出口法兰、束流管道和真空法兰组件；所述加速管出口法兰和真空法兰组件分别设置于所述束流管道两端以连接加速管和漂移管；所述加速管出口法兰上设置有两种螺纹孔以分别与加速管和加速管安装基板连接。...

本发明涉及一种辐照加速器束流扫描引出装置，包括扫描磁铁、扫描盒、风盒和水冷管；所述扫描磁铁套在所述扫描盒上；所述扫描盒上设置有入口法兰，在扫描盒的扫描口处设置有钛膜；所述水冷管设置于所述扫描盒表面，所述风盒使风冷气流吹拂钛膜表面以对钛膜...

一种支撑系统，包括多个支撑组，每个所述支撑组包括多个支撑装置，其中，所述支撑装置包括：支撑臂、连接件和固定件，所述固定件设置在所述墙体上；所述支撑臂的第一端通过所述连接件可旋转地连接至所述固定件，使所述支撑臂具有：第二端靠近所述反应堆本...

本发明实施例提供一种利用伽玛能谱确定待测钚溶解液中的钚浓度和钚同位素组分的方法，包括以下步骤：S1将钚样品溶解制成钚同位素稀释剂溶液，其中，钚同位素稀释剂溶液中的钚浓度和钚同位素组分预先确定；S2利用树脂吸附待测钚溶解液，获得吸附待测钚...

本发明公开了一种抓取机构，包括：第一筒体；钩爪组件，至少部分位于第一筒体内，钩爪组件可相对于第一筒体转动；多个第一定位件，沿第一筒体的周向间隔设置在第一筒体的底部，各第一定位件沿第一筒体的轴向可移动；至少一个第二定位件，位于多个第一定位...

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种自屏蔽DD中子发生器，包括由第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢组成的密封的立方体型的屏蔽体，第一屏蔽体(1)内部设置第一空腔(3)，第二屏蔽体(2)内部设置第二空腔(82)，当第一屏蔽体(1...

本发明提供一种用于减少处理放射性废液回转煅烧炉内滞留量的方法，所述方法包括：(1)启动回转煅烧炉，设置工艺参数；(2)以初始速率将废液送入达到设定试验参数的回转煅烧炉中预设时间；(3)将废液进料速率调整至初始速率的110‑140％，将废...