本发明涉及环境障涂层或热障/环境障一体化防护涂层领域，公开了一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料及其制备方法。本发明针对热膨胀匹配性好、耐腐蚀性能优异的稀土双硅酸盐，通过改进制备方法，得到具有强CMAS腐蚀抗性的单晶稀土双硅酸盐材...

本发明是关于一种判断金属玻璃形成能力的方法，涉及金属玻璃形成能力判据技术领域，解决的问题是如何能以简单、快速的方法判断出非晶合金及其原材料的玻璃形成能力的大小。主要采用的技术方案为：一种判断金属玻璃形成能力的方法，包括如下步骤：步骤1）...

本发明公开了一种5‑羟甲基糠醛电催化氧化制备2,5‑呋喃二甲酸的方法，属于电化学合成与催化技术领域。所述方法通过在5‑羟甲基糠醛电氧化的阳极反应室中，加入Cu盐和配体，Cu盐中的Cu<supgt;2+</supgt;离子与配...

本发明是关于一种增材‑等材协同制备双层壁冷陶瓷型芯的方法，其中，所述方法包括如下步骤：采用光固化3D打印方法制备出树脂模具；树脂模具用于成型出双层壁冷陶瓷型芯的空心结构；采用光固化3D打印方法制备出支撑体；支撑体用于在脱脂处理后形成双层...

本发明涉及三元化合物MA2Z4薄膜材料制备领域，具体为一种均匀单层MA2Z4薄膜的制备方法。以铜箔作为生长基底，采用物理气相沉积技术，在铜箔表面沉积一层含过渡族金属M的薄膜，通过在具有A源或Z源的环境下退火处理实现M‑A或M‑Z源在铜箔...

本发明提供了一种基于新型磁性磁路的氧化皮堵塞量的磁性检测方法，该新型磁路的结构由不锈钢管道(1)、永磁铁(2)、环形磁轭(4)、磁敏元件(5)组成，永磁铁(2)与环形磁轭(4)紧密贴合形成半环形结构，磁敏元件(5)放置于环形磁轭(4)与...

本发明提供了一种银石墨基触头材料及其制备方法，属于炭石墨复合材料技术领域。由包含下列制备方法得到：(1)将鳞片石墨粉、沥青胶粉、炭黑和煤沥青混合，顺次进行压制、煅烧和石墨化处理后得到石墨基体；(2)将石墨基体进行包银浇注得到中间体；(3...

本发明是关于一种双层壁冷陶瓷型芯及热压注一体成型方法，其中，所述方法包括如下步骤：对树脂模具制备浆料进行热压注成型，得到树脂模具；以重量份计，树脂模具制备浆料的配制原料包括：交联剂50‑60重量份、水溶助剂20‑30重量份、添加剂5‑1...

本发明公开了一种应用于透射电镜的双向倾转三维重构样品杆，属于材料的电子显微学研究技术领域。该样品杆包括样品杆TIP端、样品杆杆体和β角倾转控制器，样品杆TIP端中，扭簧衬套、倾转压架和复位扭簧相连接并固定在TIP端基座上，倾转凸轮与微型...

本发明公开了一种应用于透射电镜样品气氛热处理设备和方法，属于材料研究和电子显微镜技术领域。该设备包括气氛腔室和原位加热样品杆，所述气氛腔室包括腔室基座和温度传感器，温度传感器设于腔室基座内反馈加热温度；腔室基座上接有原位样品加热杆、真空...

本发明涉及精密铸造技术领域，具体为一种单晶叶片蜡模的自动组树平台。单晶叶片蜡模的自动组树平台包括设备机架、叶片矫形工装、叶片夹持系统、组树定位系统、自动焊接系统，设备机架上设有设备主平台和电控箱，设备主平台上安装叶片矫形工装、叶片夹持系...

本发明涉及新材料领域，具体为一种液相层表面制备均匀多层钼基过渡金属硫族化物薄膜的方法。该方法具体包括以下步骤：在氩气气氛下利用物理气相沉积将可与金形成低熔点合金相的非金属元素沉积在洁净的金基底表面；将上述处理后的基底在一定参数下退火，构...

本发明属于高强度钢铁结构材料领域，具体涉及一种细晶马氏体时效钢及其制备方法。按重量百分比计，马氏体时效钢的化学成分为C：0.02～0.06％；Si：2.0～3.5％；Mn：0.1～0.2％；S：＜0.01％；P：＜0.01％；Ni：15...

本发明提供一种局部真空激光焊接装置，其包括支撑架、第一真空机构、第二真空机构、激光焊接机构和驱动机构；支撑架用于承载待焊工件；第一真空机构具有第一真空头，第一真空机构通过第一真空头对待焊工件上焊缝第一侧的部分区域抽真空；第二真空机构用于...

本发明涉及半导体器件性能测试领域，具体为一种柔性薄膜热电器件发电性能测试设备。该装置包括：真空系统、加热系统、冷却系统、运动控制系统和测试系统。真空系统提供真空、惰性气氛、高压、低压等不同气氛条件。加热系统和冷却系统为柔性薄膜热电器件提...

本发明提供一种真空激光焊接与焊后热处理一体化真空装置及处理方法，装置，包括：装置外壳；第一阻热隔断件，当第一阻热隔断件处于第一隔断位置时，第一阻热隔断件将真空容置空间分隔为相互独立的焊接真空室与热处理真空室，当第一阻热隔断件处于第一连通...

本发明涉及新材料领域，具体为一种快速制备大面积二维过渡金属硫族化物材料的方法。该方法在金箔基底上利用物理气相沉积的方式引入过渡金属源，具体包括以下步骤：在高真空或保护气氛下利用物理气相沉积法将所需过渡金属沉积在金箔基底上，随后放入化学气...

本发明涉及二维材料领域，具体为一种超薄过渡金属氧化物及其与碳化物异质结构的制备方法。将超声清洗和高温碳化预处理后的过渡金属箔片上方覆上一层铜箔，构成双金属生长基底结构进行两步法常压化学气相沉积生长，首先将温度升高至铜熔点以上，液态铜作为...

本发明涉及二维材料无损转移领域，具体为一种低熔点金属辅助的二维材料无损转移方法。在金属衬底表面合成的二维材料上旋涂有机物转移介质，加热固化后获得转移介质/二维材料/金属衬底复合体；将该复合体置于液态金属表面，并辅以热台加热；金属衬底与液...

本发明涉及透射电子显微镜表征石墨类材料面外方向晶粒尺寸领域，具体为一种精确表征石墨类材料面外方向晶粒尺寸的方法。采用聚焦离子束‑扫描电子显微镜加工石墨类材料，制备出垂直于石墨烯片层范德华堆垛方向(面外方向)厚度均匀的截面透射电镜样品，将...