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中国科学院金属研究所专利技术
中国科学院金属研究所共有7331项专利
一种使用硫生长促进剂大量制备纳米碳纤维的方法技术
一种使用硫生长促进剂大量制备纳米碳纤维的方法,以苯、CH↓[4]、C↓[2]H↓[2]为碳源,以二茂铁、Ni(Co)↓[4]为催化剂,以氢、氦、氮气为载气,以含硫化合物如噻粉、H↓[2]S为生长促进剂,并且控制碳源与载气的摩尔比在0.0...
一种制备碳纤维和纳米碳管的方法技术
本发明涉及碳纤维/纳米碳管,具体地说是一种制备碳纤维和纳米碳管的方法。它采用氢为载气、乙炔为碳源、泡沫镍为催化剂,在加碳源的同时加入含硫生长促进剂,在较低温度下反应,制备出纳米碳管、纳米碳纤维或螺旋形碳纤维。本发明工艺简单、价格低廉,产...
一种单一旋向占优的螺旋形炭纤维的制备方法及专用装置制造方法及图纸
本发明涉及一种单一旋向占优螺旋形炭纤维的制备方法及专用装置,该方法:在外加磁场的作用下,以Fe、Co、Ni等过渡金属及其合金为催化剂,氢气、氩气、氮气之一种或数种的混合气体为缓冲气,含硫化合物为生长促进剂,在一定温度下催化热解一氧化碳、...
浮区熔化单晶体材料制备装置制造方法及图纸
本结构属于单晶材料制备装置,其结构是在原料棒与单晶中间的熔区两侧加有热源,与热源光束垂直同时与料棒垂直且在熔区两侧加有磁极,使熔区内形成均匀磁场,磁场为环形磁铁,在环形磁铁的中间绕有线圈,磁场为恒定磁场,也可为交变磁场,磁极放在底座上。...
一种单晶高温合金电场定向凝固设备制造技术
一种单晶高温合金电场定向凝固设备,具有壳体(2)、加热装置(4),其特征在于还包括试样夹持机构(7)和直流电场发生装置,所述夹持机构(7)置于壳体(2)下方,由托架(74)上设有两个夹持杆(75)构成,所述两个夹持杆(75)一端分别与托...
单晶高温合金定向凝固过程温度场自动采集装置制造方法及图纸
一种单晶高温合金定向凝固过程温度场自动采集装置,其特征在于:由温度传感器、冷端补偿电路、多路开关、放大器、触发器、模数转换器、光电隔离器组成,其中:至少1个采样用温度传感器(TC)安放在定向凝固炉中,其输出接冷端补偿电路,并经多路开关(...
一种双区加热真空感应单晶炉制造技术
本实用新型涉及定向凝固技术,具体地说是一种用于定向凝固及单晶生长的真空感应单晶炉。包括隔热挡板、感应线圈、水冷环,加热装置为双区加热结构,由上下石墨发热体构成,热电偶置于上、下石墨发热体之间,上、下石墨发热体高度比为2~5,上、下石墨发...
高性能β-氮化硅晶晶须的制备方法技术
一种高性能β-Si↓[3]N↓[4]的制备方法,系属于陶瓷材料领域,它的主要特征是选用1∶(1.5~6)(重量比)的硅非晶氧化物∶碳粉末经机械混合后在气氛炉内烧结,通入N↓[2](加入2-5%Ar)500ml/每分钟,反应温度在1200...
一种单晶碳化硅短纤维的制备方法技术
一种单晶碳化硅制备方法,涉及陶瓷材料的制取技术,其主要特征是采用二氧化硅微晶粉末为原料、石墨粉为还原剂,再加入氟化物作为晶须生成剂,在1400-1600℃Ar保护下反应4-5小时,可制备出直径为3—5μm,长为5-10mm的单晶纤维。由...
电磁场中浮**熔化单品体(或定白凝固)材料制备方法技术
本发明属于单晶材料的制备方法,其工艺方法是单晶浮区熔化的熔池内施加电磁场,电磁场为直流电产生的恒稳磁场或交流电产生的交变磁场,料棒送进速度和提拉速度(晶体生长速度)连续可调,料棒和单晶体在磁场中作轴向旋转,采用稳定的机械装置提拉出单晶。...
钛酸钾晶须制备方法技术
一种生产钛酸钾晶须的制备方法,以含钛化合物如金红石型钛矿粉、锐钛矿、钛白粉等及含钾化合物如氢氧化钾、硝酸钾、氯化钾、碳酸钾等作原料。其特征在于:合成过程中还加入了碱金属硝酸盐、硫酸盐、氯化物之一或其组合作为助熔剂。其工艺过程如下:将原料...
纳米非晶原位合成氮化硅晶须制造技术
一种制备Si↓[3]N↓[4]晶须的方法,其特征在于:以Si/N/C粉为原料,在氮气氛下经热解形成Si↓[3]N↓[4]晶须;其特征反应式为: Si/N/C+表面O→Si↓[3]N↓[4](晶粒)+SiO(g)+CO(g)3SiO...
一种镍铝基合金单晶的制备技术制造技术
一种金属材料单晶的制备技术,系采用定向生长的办法,包括母合金样品的制备,其特征在于:在距母合金样底部20-40mm上加工出一10~20mm的缩颈,缩颈部分用陶瓷涂料填充而为选晶器,将其干燥硬化后,整体放入陶瓷模壳中,在定向凝固炉中重熔并...
一种镍铝基金属材料单晶的制备方法技术
一种金属材料单晶的制备技术,其特征在于:根据所需单晶材料的尺寸制作相应的陶瓷模壳,将预制母合金棒加工成与陶瓷模壳相配合的尺寸的样品,在样品的中下部位距样品底部20mm以上处加工出缩颈,缩颈的横截面尺寸大小为0.05-75mm↑[2],缩...
一种高速气相生长金刚石的方法技术
一种高速气相生长金刚石的方法,采用热丝化学气相沉积技术,其特征在于:反应全流程在封闭空间内进行,反应气均匀地通过反应区,气体质量流量通量为100-200SCCM/cm↑[2],反应区温度保持在2000-2600℃,反应后气体及时排出。本...
一种NiA1单晶的制备方法技术
一种NiAl单晶的制备方法,首先制备NiAl母合金,将母合金放入高纯刚玉模壳中进行定向凝固,其特征在于:对母合金进行两次方向相反的定向凝固,第二次定向凝固的初始固液界面处于前一次定向凝固后的末端晶粒上。本发明方法制备NiAl单晶简便快速...
一种制备单壁纳米碳管的方法技术
一种制备单壁纳米碳管的方法,采用碳源与催化剂在气态下充分混合匀速输入反应区的方法生成单壁纳米碳管;其中碳源为低熔点的水分子碳氢化合物,碳原子数小于10;稀释气体为氢气、氩气、氮气,碳源与稀释气体的摩尔比在0.5~5范围内;催化剂为铁、铂...
四脚状氧化锌晶须的制备方法技术
一种四脚状氧化锌晶须的制备方法,其特征在于:以白碳黑为催化剂,将金属锌粉与白碳黑混合在900~1000℃热空气环境中5~15分钟烧制成四脚状氧化锌晶须,金属锌粉与白碳黑重量比例为1∶0.03~1∶1。本发明所制备出的四脚状氧化锌晶须形态...
一种半螺旋选晶器制造技术
一种半螺旋选晶器,其特征在于:该选晶器的结构为,在螺旋管沿母线展开平面上,按照确定的升角和半径缠绕,在螺旋管截面上限定在180°范围内,到达边界时折返方向,向相反方向同角度同半径缠绕。本发明具有高的选晶能力,并且制备工艺简单,效率高。
一种碳化硅片状晶体的制备方法技术
本发明涉及一种硅晶的制备方法,其特征在于采用两步制备法:将SiO↓[2]粉和C粉按比例(1~3)∶(3~1),在1400~2000℃下,保温1~2小时,合成β-SiC晶须,再将此晶须与SiO↓[2]粉和C粉及助生长剂(铝化合物)按比例(...
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