本发明公开一种透明、耐水冲击、超疏液涂层及其制备方法与应用。超疏液涂层包括第一涂层和位于第一涂层之上的第二涂层，第一涂层和第二涂层均为透明涂层；第一涂层包括热塑性聚合物，热塑性聚合物选自乙烯丙烯酸共聚物、乙烯丙烯酸酯共聚物、乙烯醋酸乙烯...

本发明涉及有机半导体材料技术领域，公开了一种聚合物及其制备方法和应用以及有机场效应晶体管。该聚合物含有式(IA)所示的结构单元A和/或式(IB)所示的结构单元B，其中，在式(I)中，x为0‑1，且x+y＝1；m为2‑200；在式(IA)...

本发明公开一种刺激

本发明涉及化学发光检测领域，公开了一种基于化学发光的多元分析光子晶体芯片及其制备方法和应用，该多元分析光子晶体芯片包括芯片基底，所述芯片基底至少一侧表面设置有光子晶体微阵列，所述光子晶体微阵列包括两个以上的光子晶体位点；在至少一个所述光...

本发明公开了一种光子晶体编码的检测芯片及其制备方法和应用以及采用该检测芯片的药物筛选系统和筛选方法。所述检测芯片含有基底，基底表面具有超疏水区域和亲水检测点阵列，亲水检测点阵列中的亲水检测点具有亲水层、附着力增强层和光子晶体层，亲水检测...

本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种水系粘结剂的制备方法，包括步骤：获取端氨基的聚合物和双异氰酸酯修饰的单体，将所述端氨基的聚合物和所述双异氰酸酯修饰的单体溶解于有机溶剂中后进行混合反应，得到自修复分子的溶液；获取碳材料的分散液，将所述...

本发明公开一种透明、高硬、可多功能集成的自修复涂料及其制备方法与应用。制备自修复涂料用组合体系包括：(A)低表面能聚合物胶束分散液；(B)硅烷偶联剂水解液；和(C)碱溶液。该组合体系中还任选包括(D)功能性组分，所述功能性组分为功能化小...

本发明公开了一种废旧纺织品及洗衣废水中棉和微塑料分离的方法及应用，该分离方法是将待分离物置于具有梯度的磁场中进行分离回收。本发明首次提出采用梯度磁场对废旧纺织品及洗衣废水中的棉类和微塑料进行分离，利用同一梯度磁场中棉类和微塑料顺磁性或抗...

本发明涉及一种化合物及卡宾催化5-氯甲基糠醛制备该化合物的方法。一种化合物，其通式如下：该化合物的合成路线为：。本发明只有一步反应，且反应条件温和，成本低，对环境无污染，为5-氯甲基糠醛的高价值利用提供了便利。供了便利。供了便利。供了便...

本发明提供了一种复合补钠添加剂的制备和应用。本发明的补钠添加剂中含有金属氧化物碳催化剂与钠盐，该金属氧化物碳催化剂为金属氧化物与碳基底的复合物。该补钠添加剂中的钠盐在钠离子电池首圈充电时即完全分解并释放出钠离子和二氧化碳气体，分解产生的...

本发明涉及材料领域，公开了一种基于半包埋导电网格的柔性透明电极的制备方法，该方法包括如下步骤：1）在牺牲层表面制备凸起的图案化导电网格；2）将所述牺牲层表面具有图案化导电网格的一面包埋入透明电极的高分子目标基底中；3）将所述透明电极上方...

本发明公开了一种基于高稳定毛细管电泳分离分析技术的分子成像方法，涉及分析化学、生命科学、临床医学、医药开发和材料学等多个领域。本发明的分子成像方法，包括样品预处理、高稳定毛细管电泳进样、分离和分析以及分子分布图像绘制的步骤。样品预处理采...

本发明公开一种热熔邻苯二甲腈树脂及其制备方法和应用。用于制备热熔邻苯二甲腈树脂的组合物包括以下重量份的组分：第一邻苯二甲腈单体50‑80份，第二邻苯二甲腈单体20‑50份，热塑性大分子0.5‑50份，无机粉体0.5‑50份，芳环结构降粘...

本发明公开了一种基于蒽的手性荧光分子及其制备方法与应用。所述手性蒽的衍生物的结构式如式Ⅰ中所示，本发明提供的式Ⅰ中所示蒽的衍生物可用于制备手性有机发光材料，所述有机发光材料具有荧光和圆偏振发光性质。本发明提供的制备手性蒽衍生物的方法，原...

本发明公开了一种路易斯酸催化木质素转化为单一化学品愈创木酚的方法。该方法是在惰性气氛下，以路易斯酸作为催化剂，催化木质素转化为愈创木酚，且愈创木酚为唯一液体产物。所述路易斯酸包括三氟甲磺酸铁，三氟甲磺酸镱，三氟甲磺酸镧中的至少一种。该方...

本发明公开了单原子与颗粒协同的负载型金属催化剂及其制备方法与应用。本发明金属催化剂，金属以单原子和纳米颗粒共存的形式均匀负载在载体上。金属为Ir，Ru，Rh，Pd，Co和Pt中的至少一种。载体孔径为0.5～10nm，比表面积为200～1...

本发明涉及烯烃聚合领域，公开了外给电子体组合物、烯烃聚合催化剂及其应用以及聚烯烃及其制备方法。该外给电子体组合物含有第一外给电子体化合物和第二外给电子体化合物，其中，第一外给电子体化合物选自具有式I所示结构的化合物中的至少一种：第二外给...

本发明涉及一种负载型金属铋颗粒复合材料，是金属铋颗粒通过带有氨基的联结剂负载在多孔碳载体上，金属铋颗粒的粒径在5

本发明公开了一种硫化亚锗多晶薄膜及其制备方法，及含有该硫化亚锗多晶薄膜的太阳能电池。所述硫化亚锗多晶薄膜厚度为400～800nm，我们在传统的近空间快速升华法基础上增加了晶种层预沉积和后步原位退火(三步法)制得，该过程运行简单且连贯，可...

本发明涉及一种硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，所述薄膜是在水溶性还原剂、锗源、硫或硒源通过水热法在基底上形成非晶膜后，再进行退火处理得到，多晶薄膜的晶粒以站立取向生长。对于硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，其XRD分别在晶面(111)出峰，该晶面...