本公开提供一种大尺寸可剥离六方氮化硼的制备方法及其剥离方法，该制备方法包括：S1，对c面蓝宝石衬底(3)的表面进行氮化处理，形成AlON层(2)；S2，采用化学气相沉积法，利用脉冲生长模式，通入硼化物和氨气使其在AlON层的表面发生反应...

本公开提供一种无参考时钟型时钟数据恢复装置及其时钟数据恢复方法，涉及电子技术领域。无参考时钟型时钟数据恢复装置包括：线性鉴相器，用于对接收的四电平脉冲幅度调制数据进行鉴相处理输出鉴相信号电压；鉴频器，用于对接收的鉴相电压信号进行鉴频处理...

本公开提供一种宽带可调谐的微波光子移相装置，涉及微波光子领域，其包括功分器，用于将输入射频信号分为第一射频信号和第二射频信号；光发射模块，用于产生第一光载波信号和第二光载波信号；参考信号模块，用于对第二射频信号进行功率调节和移相，得到参...

本发明提供了一种用于脂质体制备的微流控装置及方法。微流控装置包括：微流控芯片，用于采用多种试剂制备至少一种脂质体；自动化控制模块，配置有训练好的机器学习模型，自动化控制模块用于使用机器学习模型分析脂质体的成像数据，生成调节脂质体的第一控...

本公开提供了一种单模半导体微腔激光器，该激光器包括：N型衬底；回音壁微腔，位于N型衬底上，回音壁微腔的面积小于N型衬底的面积；波导，设置在N型衬底上，连接回音壁微腔的预设输出端。本公开的单模半导体微腔激光器能够实现在微腔中调控光的模场分...

本发明提供了一种反相乳化制备脂质体的微流控装置和方法。微流控装置包括：第一微流控芯片，包括至少一个第一微流道，每一个第一微流道用于接收一种连续相和一种分散相，并使连续相和分散相乳化成单乳化液滴；第二微流控芯片，第二微流控芯片与第一微流控...

本发明提供了一种半导体激光器及其调控方法。半导体激光器包括：衬底；回音壁微腔，设置于衬底上，回音壁微腔在衬底上的投影轮廓由多条曲线组成，多条曲线使得回音壁微腔中的光子经过多次全反射后形成回路；欧姆接触层，设置于回音壁微腔上，欧姆接触层上...

本发明涉及激光雷达技术领域，尤其涉及一种集成激光雷达芯片及激光雷达装置，集成激光雷达芯片包括输入耦合器、选通开关阵列、层间耦合器、移相器、分束器和光学天线阵列，集成在同一芯片上，并由波导链接形成波导链路。由输入耦合器接收激光器产生的探测...

本公开提供一种硅基可重构光子处理芯片，涉及光通信技术领域。硅基可重构光子处理芯片包括：波分复用器，用于将输入的多个不同波长的光载射频信号合束后输出第一光束；微环谐振器组，包括多个级联的微环谐振器，微环谐振器组与波分复用器连接，通过调控微...

本发明提供一种光纤地铁隧道入侵监测方法，包括：获取地铁隧道的振动信号；采用预设的滑动窗对振动信号进行小波包分解，得到多个小波包系数，并分别计算多个小波包系数相应的功率谱密度；基于功率谱密度的幅值和与预设幅值和阈值的对比，进行多个小波包系...

本发明实施例提供一种泵浦模块及激光器。所述泵浦模块包括泵浦源、匀光组件和激光增益晶体，泵浦源用于发射泵浦光，若干泵浦源沿激光增益晶体的外周间隔设置，匀光组件设在泵浦源和激光增益晶体之间，匀光组件可透光，匀光组件用于泵浦光通过并使泵浦光匀...

本发明提供一种隧道结级联耦合模式激光器，包括：沿第一方向依次叠置的N型结构层、第一光子晶体子层、主波导、第二光子晶体子层与P型结构层，其中；主波导包括两个沿第一方向叠置的激光器单元，任两个激光器单元之间设置有隧道结；光子晶体层包括第一光...

本公开提供了一种磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶可以应用于半导体技术领域。该方法包括：采用多晶合成原料合成磷化铟多晶，多晶合成原料包括第一原料和第二原料，第一原料包括高纯铟和氧化铟，第二原料为高纯红磷，氧化铟能够分解为氧气和铟，基于磷...

本发明提供了一种超高真空化学气相沉积系统，属于气相沉积设备领域。所述系统包括：传样腔室(1)、低温预处理腔室(2)、高温预处理腔室(3)、过渡腔室(4)、本征材料外延腔室(5)、n型材料外延腔室(6)和p型材料外延腔室(7)。所述系统具...

本发明提供了一种基于双光束腔场调控的全光非线性激活器，可应用于光计算技术领域。该激活器包括：输入端、光学微腔以及输出端，其中，输入端用于提供输入光束；光学微腔用于产生谐振，激发并增强光学非线性效应；以及输出端用于输出经过非线性调控后的光...

本发明提供了一种磁光测量系统，可应用于光学测量技术领域。该系统包括：宽带光源、宽带光源性能调控模块、保偏环形器、光学相位调制解调模块、磁光光谱采集模块以及信号探测模块，其中，宽带光源产生的初始光信号经过宽带光源性能调控模块调控，得到稳定...

本发明提供了一种单片集成光电融合互连芯片及其制备方法，涉及光电集成技术领域，可以解决现有技术制备的互连芯片集成度、带宽和能效较低的问题。方法包括：衬底；介质层，设置于衬底的一侧；保护层，设置于介质层的远离衬底的一侧；其中，保护层内设置有...

本申请提供了一种半导体激光器及其制备方法，包括层叠设置的衬底、锗波导层和锗锡外延结构，锗波导层远离衬底的一侧包括相互连接的第二波导部和第三波导部，第二波导部自靠近第三波导部的一侧向远离第三波导部的一侧的宽度逐渐降低，锗锡外延结构形成于第...

本公开提供一种超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列，涉及半导体激光器技术领域。超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列包括：拓扑主阵列，用于通过泵浦产生输出光束；以及超对称对伴阵列，设置与拓扑主阵列耦合连接；其中，通过调控拓扑主阵列与超对称对伴...

本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，可应用于氮化镓半导体激光器技术领域。该方法包括：提供氮化镓衬底；在氮化镓衬底上依次生长氮化镓缓冲层，下限制层，下波导层，有源区，上波导层，电子阻挡层，新型上限制层，新型p型氮化镓层，欧姆接触层，...