本发明公开了一种半导体发光二极管的结构及其制作方法，其结构以及采用该制作方法制作的半导体发光二极管能够提升光提取效应，提升发光效率；本发明公开的一种半导体发光二极管的结构在第一、第二有源层的V形坑连接界面具有第一纳米锥；第二有源层的每对...

本发明公开了一种半导体发光二极管及其制作方法，其公开的结构以及采用该制作方法制作的半导体发光二极管能够提升发光效率和发光强度。为了达到上述目的，本发明公开的一种半导体发光二极管包括衬底，缓冲层，第一导电型的第一半导体层，多量子阱具有V形...