本发明提供一种基于CVD的碳化硅涂层的制备方法，属于碳化硅涂层技术领域。本申请通过脉冲水蒸气羟基化及双(二乙氨基)硅烷的反应，对基体进行重塑，构筑一层均匀、高活性的有机硅锚定界面层，并在其上采用低温循环化学气相沉积生长一层非晶碳化硅隔离...

本发明属于碳化硅制备技术领域，提供了CVD生长型耐高温碳化硅及其制备方法。本申请通过化学气相沉积并协同运用三种自制功能性添加剂，首先是含硼的有机硅聚合物前驱体溶液，由聚碳硅烷与硼烷试剂反应制得；其次是含铝氮笼状结构的有机金属化合物，由胺...