本发明公开的一种基于等离子体掺杂的超浅结制备方法及半导体器件，通过“表面预处理‑低能量等离子体精准掺杂‑可控快速热退火‑性能表征”的工艺体系实现超浅结制备。表面预处理彻底去除衬底杂质与氧化层，低能量等离子体掺杂精准控制注入深度，快速热退...

本发明属于半导体分立器件的封装技术领域，具体的说是一种半导体分立器件的封装装置及封装工艺，包括机体，所述机体的内部设置有平台，所述机体的上表面固接有第一液压缸，所述第一液压缸的输出端固接有模具框，所述机体的内部设置有切模组件，所述切模组...

本发明公开的一种用于芯片三维封装的等离子体激活键合方法与系统，包括芯片预处理、等离子体多阶段激活、精准键合及键合后处理；先通过多步清洗去除芯片键合面杂质，再依次经惰性气体等离子体刻蚀激活和反应性气体等离子体改性激活，随后在可控环境下精准...

本发明公开的一种集成动态热管理与电磁兼容的电源管理模块封装方法，通过制备集成接地平面、功率传输线路及嵌入式滤波结构的封装基板，在基板上固定电源管理芯片、含微通道散热组件与温度传感组件的动态热管理单元及电磁兼容辅助元件，经键合引线或倒装焊...