一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150‑200W，直流自偏压为100V，使用Cl

本发明提供一种快速渗透，去除效率高的不干胶清洁剂，其包含的成份和质量百分比如下：N-甲基-2吡咯烷酮10-15％，正丁醇10-20％，10％(质量浓度)NaOH溶液10-12％，4％(质量浓度)NaHCO3溶液4-6％，乙二醇乙醚1-3...

本发明提供一种快速渗透，去除效率高的不干胶清洁剂，其包含的成份和质量百分比如下：N-甲基-2吡咯烷酮10-15％，正丁醇10-20％，10％(质量浓度)NaOH溶液10-12％，2％(质量浓度)Na2CO3溶液5-8％，二乙二醇丙醚1-...

一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150-200W，直流自偏压为100V，使用O2，Cl2和He感应耦合等离子体刻蚀，其中O2，Cl2和He的流量比为2∶2∶1，使...

一种LED的外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150-200W，直流自偏压为100V，使用Cl2和Ar感应耦合等离子体刻蚀，使得刻蚀后的GaN表面的粗糙度RMS为0.21-0.23n...