本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器及其制备方法。所述具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器包括：中心栅极，沿相对于所述底部衬底的垂直方向延伸设置；半导体叠层结构，所述半导体叠层结构包括依次环所述...